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1. (WO2018111263) DISPOSITIFS DE BOÎTIER À MATRICE DE BILLES AVEC DES PLAGES DE CONTACT DE PAROI LATÉRALE
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N° de publication : WO/2018/111263 N° de la demande internationale : PCT/US2016/066676
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 14.12.2016
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 23/498 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/488 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
498
Connexions électriques sur des substrats isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488
formées de structures soudées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
Déposants :
INTEL IP CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
WOLTER, Andreas; DE
WAIDHAS, Bernd; DE
SEIDEMANN, Georg; DE
REINGRUBER, Klaus; DE
WAGNER, Thomas; DE
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PACKAGE DEVICES HAVING A BALL GRID ARRAY WITH SIDE WALL CONTACT PADS
(FR) DISPOSITIFS DE BOÎTIER À MATRICE DE BILLES AVEC DES PLAGES DE CONTACT DE PAROI LATÉRALE
Abrégé :
(EN) Package devices (systems and methods for their manufacture) may have an integrated circuit (IC) chip mounted on a top surface of a package substrate of and IC package, and embedded in a mold compound formed onto the top surface. They may also have conductive elements mounted on the top surface of the package substrate, embedded in the mold compound, horizontally disposed at a first vertical sidewall of the package device, and having vertical contact pads exposed at the first vertical sidewall. Conductor material traces of the IC package may electrically couple contacts of the chip to the conductive elements. Traces of the IC package may also electrically couple contacts of the chip to bottom surface contacts of the IC package. The vertical contact pads provide a shorter signal path to another device having vertically mounted surface contacts or opposing contact pads, thus improving signaling to the other device.
(FR) Des dispositifs de boîtier (leurs systèmes et procédés de fabrication) peuvent avoir une puce de circuit intégré (CI) montée sur une surface supérieure d'un substrat de boîtier d'un boîtier de CI, et incorporée dans un composé de moule formé sur la surface supérieure. Ils peuvent également avoir des éléments conducteurs montés sur la surface supérieure du substrat de boîtier, incorporés dans le composé de moule, disposés horizontalement au niveau d'une première paroi latérale verticale du dispositif de boîtier, et ayant des plages de contact verticales exposées au niveau de la première paroi latérale verticale. Des traces de matériau conducteur du boîtier de CI peuvent coupler électriquement des contacts de la puce aux éléments conducteurs. Les traces du boîtier de CI peuvent également coupler électriquement des contacts de la puce à des contacts de surface inférieure du boîtier de CI. Les plages de contact verticales fournissent un chemin de signal plus court à un autre dispositif ayant des contacts de surface montés verticalement ou des plages de contact opposées, améliorant ainsi la signalisation à l'autre dispositif.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)