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1. (WO2018110556) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/110556    International Application No.:    PCT/JP2017/044580
Publication Date: Fri Jun 22 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 13 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
トヨタ自動車株式会社
Inventors: TAKEUCHI Yuichi
竹内 有一
SUZUKI Ryota
鈴木 龍太
NAGAOKA Tatsuji
永岡 達司
AOI Sachiko
青井 佐智子
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne une couche d'assouplissement de champ électrique (40) pour assouplir un champ électrique, laquelle couche est formée dans une partie de couche de surface d'une couche de dérive de type n- (2) dans une section d'anneau de garde, et, en conséquence, une pénétration de champ électrique dans des espaces entre des anneaux de garde de type p (21) est empêchée. En conséquence, la concentration de champ électrique est assouplie, la rupture d'un film d'isolation intercouche (10) provoquée par la concentration de champ électrique est empêchée, et une réduction de la tension de tenue peut être empêchée. Par conséquent, il est possible de fournir un dispositif à semi-conducteur SiC qui est apte à atteindre une tension de tenue souhaitée.