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1. (WO2018110141) DISPOSITIF D'EXCITATION DE CHARGE
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N° de publication : WO/2018/110141 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/039863
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 06.11.2017
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,G01R 31/26 (2014.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26
Essai de dispositifs individuels à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD.[JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs : KAWATA Takahiro; JP
KOBAYASHI Yoichiro; JP
WATANABE Mitsuhiko; JP
Mandataire : TODA Yuji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-24228714.12.2016JP
Titre (EN) LOAD DRIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'EXCITATION DE CHARGE
(JA) 負荷駆動装置
Abrégé :
(EN) Provided are a highly reliable load drive device and a failure diagnosing method therefor, the load drive device having a semiconductor chip mounted therein that uses deep trench isolation (DTI) for inter-element isolation, and being capable of diagnosing the dielectric withstand voltage of DTI. The load drive device with the semiconductor chip mounted therein is characterized in that the semiconductor chip is provided with a load drive output portion formed on a semiconductor substrate, wherein the load drive output portion comprises: a first area in which a MOSFET for load drive control is formed; a first leak current detection element which has a second area insulated and isolated from the first area by DTI and which is disposed in the first area; a second leak current detection element disposed in the second area; and a failure detection portion which determines failure of the load drive output portion.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif d'excitation de charge hautement fiable et sur un procédé de diagnostic de défaillance associé, le dispositif d'excitation de charge dans lequel est montée une puce semi-conductrice qui utilise une isolation de tranchée profonde (DTI pour Deep Trench Isolation) pour une isolation entre éléments, et pouvant diagnostiquer la tension de tenue diélectrique de l'isolation DTI. Le dispositif d'excitation de charge dans lequel est montée la puce semi-conductrice, est caractérisé en ce que la puce semi-conductrice est pourvue d'une partie de sortie d'excitation de charge formée sur un substrat semi-conducteur, la partie de sortie d'excitation de charge comprenant : une première zone dans laquelle est formé un transistor MOSFET destiné à réguler une excitation de charge ; un premier élément de détection de courant de fuite qui comporte une seconde zone protégée et isolée de la première zone par l'isolation DTI et qui est disposée dans la première zone ; un second élément de détection de courant de fuite disposé dans la seconde zone ; et une partie de détection de défaillance qui détermine une défaillance de la partie de sortie d'excitation de charge.
(JA) 素子間分離にDTIを用いた半導体チップを搭載する負荷駆動装置において、DTIの絶縁耐圧の診断が可能な信頼性の高い負荷駆動装置およびその故障診断方法を提供する。 半導体チップが搭載された負荷駆動装置であって、前記半導体チップは、半導体基板上に形成された負荷駆動出力部を備え、前記負荷駆動出力部は、負荷駆動を制御するMOSFETが形成される第1の領域と、DTIにより前記第1の領域と絶縁分離された第2の領域を有し、前記第1の領域に設けられる第1のリーク電流検出素子と、前記第2の領域に設けられる第2のリーク電流検出素子と、前記負荷駆動出力部の故障を判断する故障検出部と、を備えることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)