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1. (WO2018108069) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/108069 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/115604
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 12.12.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/77 (2017.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
Déposants : KUNSHAN NEW FLAT PANEL DISPLAY TECHNOLOGY CENTER[CN/CN]; Building No. 3, No. 188 Chenfeng Road, Yushan Town Kunshan, Jiangsu 215300, CN
KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; Building 4, No. 1, Longteng Road, Development Zone Kunshan, Jiangsu 215300, CN
Inventeurs : SONG, Yanqin; CN
HU, Siming; CN
YANG, Nan; CN
ZHANG, Jiuzhan; CN
Mandataire : SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; Room 341, Building 1 789 West Tianshan Road, Changning District Shanghai 200335, CN
Données relatives à la priorité :
201611147363.313.12.2016CN
Titre (EN) DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 显示装置及其制造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a method for manufacturing a display device, the method comprising: providing a substrate (100); forming a polysilicon layer on the substrate (100); patterning the polysilicon layer, so as to form a plurality of polysilicon blocks (110); implanting ions into the plurality of polysilicon blocks (110); forming a gate insulation layer on the plurality of polysilicon blocks (110); forming a first conductive layer on the gate insulation layer; and patterning the first conductive layer to form a plurality of data lines (120), wherein the positions of some line segments of the plurality of data lines (120) overlap with those of the plurality of polysilicon blocks (110), so as to form a plurality of compensation capacitors. An overlapping region of a polysilicon layer doped with impurities and a first conductive layer is used to form a compensation capacitor, so as to reduce the occupation area of the compensation capacitor, thereby preventing the problem that a scanning line cannot be connected to a GIP circuit.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage, le procédé consistant à : fournir un substrat (100); former une couche de polysilicium sur le substrat (100); former des motifs sur la couche de polysilicium, de manière à former une pluralité de blocs de polysilicium (110); implanter des ions dans la pluralité de blocs de polysilicium (110); former une couche d'isolation de grille sur la pluralité de blocs de polysilicium (110); former une première couche conductrice sur la couche d'isolation de grille; et former des motifs sur la première couche conductrice pour former une pluralité de lignes de données (120), les positions de certains segments de ligne de la pluralité de lignes de données (120) se chevauchant avec celles de la pluralité de blocs de polysilicium (110), de manière à former une pluralité de condensateurs de compensation. Une région de chevauchement d'une couche de polysilicium dopée avec des impuretés et une première couche conductrice est utilisée pour former un condensateur de compensation, de manière à réduire la zone d'occupation du condensateur de compensation, ce qui permet d'éviter le problème selon lequel une ligne de balayage ne peut pas être connectée à un circuit de GIP.
(ZH) 一种显示装置制造方法,包括:提供一衬底(100);在衬底(100)上形成一多晶硅层;图形化多晶硅层以形成多个多晶硅区块(110);对多个多晶硅区块(110)进行离子注入;在多个多晶硅区块(110)上形成一栅极绝缘层;在栅极绝缘层上形成一第一导电层;以及图形化第一导电层以形成多条数据线(120),多条数据线(120)的部分线段与多个多晶硅区块(110)的位置交叠以形成多个补偿电容。利用掺杂有杂质的多晶硅层与第一导电层的交叠区域形成补偿电容,以减少补偿电容的占用面积,从而避免扫描线无法与GIP电路连接的问题。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)