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1. (WO2018107666) CAPTEUR DE GAZ À BASE DE SILICIUM POREUX ET SON PROCÉDÉ D'APPLICATION DANS LA DÉTECTION DE GAZ
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N° de publication : WO/2018/107666 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/085620
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
G01N 27/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
Déposants :
上海新微技术研发中心有限公司 SHANGHAI INDUSTRIAL μTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [CN/CN]; 中国上海市 嘉定区城北路235号3号楼 Building 3 No.235 Chengbei Rd, Jiading District Shanghai 201800, CN
Inventeurs :
焦继伟 JIAO, Jiwei; CN
袁素珺 YUAN, Sujun; CN
Mandataire :
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING ORIGINTELLIGENCE IP LAW FIRM; 中国北京市 海淀区上地三街9号嘉华大厦E座705室刘元霞 LIU, Yuanxia Room 705, Tower E, Jiahua Building No.9, Shangdi 3rd Street, Haidian District Beijing 100085, CN
Données relatives à la priorité :
201611141046.012.12.2016CN
Titre (EN) POROUS SILICON-BASED GAS SENSOR AND METHOD THEREOF APPLIED IN GAS DETECTION
(FR) CAPTEUR DE GAZ À BASE DE SILICIUM POREUX ET SON PROCÉDÉ D'APPLICATION DANS LA DÉTECTION DE GAZ
(ZH) 多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法
Abrégé :
(EN) A porous silicon-based gas sensor and method thereof applied in gas detection, the porous silicon-based gas sensor comprising a double-layer modified porous silicon consisting of a lower-layer porous silicon (2) and an upper-layer porous silicon (1) that are modified using the same method. The lower-layer porous silicon (2) is connected to the upper-layer porous silicon (1), and a bottom portion of the lower-layer porous silicon (2) is closed; gas adsorbed by the upper-layer porous silicon (1) may enter the lower-layer porous silicon (2); the average pore diameter of the upper-layer porous silicon (1) is larger than the average pore diameter of the lower-layer porous silicon (2); and a method for modifying the double-layer porous silicon comprises a gas phase method or a liquid phase method. The porous silicon-based gas sensor may continuously detect gas, may still play a role after a power failure, and has the advantages of low energy consumption, not requiring activation and being low cost. At the same time, the preparation of the porous silicon is simple and low in cost, consideration of problems such as recycling is not necessary, and the porous silicon-based sensor may be directly discarded and replaced in practical application.
(FR) L'invention concerne un capteur de gaz à base de silicium poreux et son procédé d'application dans la détection de gaz, le capteur de gaz à base de silicium poreux comprenant un silicium poreux modifié à double couche constitué d'un silicium poreux de couche inférieure (2) et un silicium poreux de couche supérieure (1) modifiés à l'aide du même procédé. Le silicium poreux de couche inférieure (2) est relié au silicium poreux de couche supérieure (1) et une partie inférieure du silicium poreux de couche inférieure (2) est fermée; le gaz adsorbé par le silicium poreux de couche supérieure (1) peut entrer dans le silicium poreux de couche inférieure (2); le diamètre de pore moyen du silicium poreux de couche supérieure (1) est supérieur au diamètre de pore moyen du silicium poreux de couche inférieure (2); et un procédé de modification du silicium poreux à double couche comprend un procédé en phase gazeuse ou un procédé en phase liquide. Le capteur de gaz à base de silicium poreux permet de détecter en continu un gaz, continue de jouer un rôle après une panne de courant et présente les avantages d'une faible consommation d'énergie, de ne pas nécessiter d'activation et d'être peu coûteux. Dans le même temps, la préparation du silicium poreux est simple et peu coûteuse, la prise en compte de problèmes tels que le recyclage n'est pas nécessaire et le capteur à base de silicium poreux peut être directement jeté et remplacé dans une application pratique.
(ZH) 一种多孔硅基气体传感器及其应用于气体检测的方法,该多孔硅基气体传感器包括由经同种方法改性的下层多孔硅(2)及上层多孔硅(1)组成的双层改性多孔硅;下层多孔硅(2)与上层多孔硅(1)连通,且下层多孔硅(2)底部封闭;上层多孔硅(1)吸附的气体可进入下层多孔硅(2)中;上层多孔硅(1)的平均孔径大于下层多孔硅(2)的平均孔径;双层多孔硅的改性方法包括气相法或液相法。该多孔硅基气体传感器可持续地对气体进行检测,且在断电后仍可发挥作用,具有低能耗、无需活化、低成本的优点。同时,多孔硅制备简单成本低廉,无需考虑循环利用等问题,在实际应用中该多孔硅基传感器可直接抛弃替换。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)