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1. (WO2018107523) FILM D’IGZO CRISTALLIN À AXE C ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2018/107523 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/112524
Date de publication : 21.06.2018 Date de dépôt international : 28.12.2016
CIB :
C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Déposants :
武汉华星光电技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs :
王选芸 WANG, Xuanyun; CN
Mandataire :
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201611147744.113.12.2016CN
Titre (EN) C-AXIS CRYSTALLINE IGZO FILM AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) FILM D’IGZO CRISTALLIN À AXE C ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法
Abrégé :
(EN) Disclosed are a C-axis crystalline IGZO film and a preparation method therefor. In the preparation method for the C-axis crystalline IGZO film, an atomic layer deposition method is used to prepare the C-axis crystalline IGZO film, such that the structure of the C-axis crystalline IGZO can be accurately controlled at an atomic level, and the resulting C-axis crystalline IGZO has a good crystallization quality and fewer oxygen defects, able to improve the stability of TFT. Furthermore, the area of the crystallization region in the resulting C-axis crystalline IGZO film is relatively large, can reach the order of hundred microns to millimeters, so that the large-scale application of C-axis crystalline IGZO can be promoted. Moreover, the use of the optimized process conditions to prepare the C-axis crystalline IGZO film can improve the production yield and reduce the production cost. The C-axis crystalline IGZO has a good crystallization quality and fewer oxygen defects, can improve the stability of TFT, and at the same time, the area of the crystallization region is relatively large, so that the large-scale application of the C-axis crystalline IGZO can be facilitated.
(FR) La présente invention concerne un film d’IGZO cristallin à axe C et son procédé de préparation. Dans le procédé de préparation du film d’IGZO cristallin à axe C, un procédé de dépôt de couche atomique est utilisé pour préparer le film d’IGZO cristallin à axe C, de sorte que la structure de l’IGZO cristallin à axe C puisse être contrôlée précisément au niveau atomique, et l’IGZO cristallin à axe C résultant présente une bonne qualité de cristallisation et moins de défauts d’oxygène, capable d’améliorer la stabilité d’un TFT. En outre, l’aire de la région de cristallisation dans le film d’IGZO cristallin à axe C résultant est relativement grande, peut atteindre l’ordre de centaines de microns à plusieurs millimètres, de sorte que l’application à grande échelle d’IGZO cristallin à axe C puisse être favorisée. De plus, l’utilisation des conditions de traitement optimisées pour préparer le film d’IGZO cristallin à axe C peut améliorer le rendement de production et réduire le coût de production. L’IGZO cristallin à axe C présente une bonne qualité de cristallisation et moins de défauts d’oxygène, peut améliorer la stabilité de TFT, et simultanément, l’aire de la région de cristallisation est relativement grande, de sorte que l’application à grande échelle de l’IGZO cristallin à axe C puisse être facilitée.
(ZH) 一种C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法。C轴结晶IGZO薄膜的制备方法,通过采用原子层沉积的方法来制备C轴结晶IGZO薄膜,能够在原子水平上精确控制C轴结晶IGZO的结构,制得的C轴结晶IGZO的结晶质量好,氧缺陷较少,能够提高TFT的稳定性;并且由于制得的C轴结晶IGZO薄膜中的结晶区域的面积较大,达百微米级至毫米级,因此可促进C轴结晶IGZO的规模化应用;同时利用最优化的工艺条件来制备C轴结晶IGZO薄膜,可提高生产良率,降低生产成本。C轴结晶IGZO的结晶质量好,氧缺陷较少,能够提高TFT的稳定性,同时结晶区域的面积较大,有利于C轴结晶IGZO的规模化应用。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)