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1. (WO2018106814) CAPTEUR D'ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME AYANT UNE STRUCTURE RÉSONANTE EN MODE CONTRAINT
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N° de publication :    WO/2018/106814    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/064926
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 06.12.2017
CIB :
G01N 29/02 (2006.01), H03H 9/15 (2006.01)
Déposants : QORVO US, INC. [US/US]; 7628 Thorndike Road Greensboro, NC 27409 (US)
Inventeurs : MCCARRON, Kevin; (US).
MORTON, Rick; (US)
Mandataire : CAMPBELL, Keith, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/430,993 07.12.2016 US
Titre (EN) BULK ACOUSTIC WAVE SENSOR HAVING AN OVERMODED RESONATING STRUCTURE
(FR) CAPTEUR D'ONDES ACOUSTIQUES DE VOLUME AYANT UNE STRUCTURE RÉSONANTE EN MODE CONTRAINT
Abrégé : front page image
(EN)A bulk acoustic wave sensor includes a delay layer. The sensor includes an acoustic mirror and a base resonator. The base resonator includes a piezoelectric layer and two electrodes. One or more delay layers are disposed adjacent to the base resonator. A delay layer may be disposed between the base resonator and the acoustic mirror, a delay layer may be disposed on the base resonator opposite to the acoustic mirror, or both. Each delay section is formed of high quality-factor material. The sensor may define a resonant frequency, and the thickness of each delay section may be an integer multiple of half- wavelengths of the resonant frequency.
(FR)L'invention concerne un capteur d'ondes acoustiques de volume comprenant une couche de retard. Le capteur comprend un miroir acoustique et un résonateur de base. Le résonateur de base comprend une couche piézoélectrique et deux électrodes. Une ou plusieurs couches de retard sont disposées adjacentes au résonateur de base. Une couche de retard peut être disposée entre le résonateur de base et le miroir acoustique, une couche de retard peut être disposée sur le résonateur de base à l'opposé du miroir acoustique, ou les deux. Chaque section de retard est formée d'un matériau à facteur de haute qualité. Le capteur peut définir une fréquence de résonance et l'épaisseur de chaque section de retard peut être un entier multiple de demi-longueurs d'onde de la fréquence de résonance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)