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1. (WO2018106303) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE DONNÉES APRÈS COURT-CIRCUIT DE LIGNE DE MOTS À LIGNE DE MOTS
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N° de publication : WO/2018/106303 N° de la demande internationale : PCT/US2017/050867
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 10.09.2017
CIB :
G11C 29/52 (2006.01) ,G11C 29/02 (2006.01) ,G11C 29/42 (2006.01) ,G11C 29/44 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/14 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 29/04 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
52
Protection du contenu des mémoires; Détection d'erreurs dans le contenu des mémoires
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
02
Détection ou localisation de circuits auxiliaires défectueux, p.ex. compteurs de rafraîchissement défectueux
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08
Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension (POST) ou test réparti
12
Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré (BIST)
38
Dispositifs de vérification de réponse
42
utilisant des codes correcteurs d'erreurs (ECC) ou un contrôle de parité
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08
Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension (POST) ou test réparti
12
Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré (BIST)
44
Indication ou identification d'erreurs, p.ex. pour la réparation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
14
Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04
Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
ZHANG, Zhengyi; US
DONG, Yingda; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/373,88709.12.2016US
Titre (EN) DATA RECOVERY METHOD AFTER WORD LINE-TO-WORD LINE SHORT CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ DE RÉCUPÉRATION DE DONNÉES APRÈS COURT-CIRCUIT DE LIGNE DE MOTS À LIGNE DE MOTS
Abrégé :
(EN) A memory device and associated techniques provide a read recovery of data in case of a short circuit between word lines. When cells of a recovery word line WLrec are successfully programmed but cells of an adjacent work line WLrec+1 are not successfully programmed, the data of the cells of WLrec can be recovered. The cells of WLrec+1 are erased so that a low pass voltage on WLrec+1 is adequate to provide these cells in a conductive state during the recovery read of WLrec. Capacitive coupling between the word lines which shifts the apparent threshold voltage of the cells on WLrec is reduced so that a more accurate recovery read can be performed. Read voltages on WLrec can be upshifted compared to baseline read voltages.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire et des techniques associées qui fournissent une récupération de données en lecture dans le cas d'un court-circuit entre des lignes de mots. Lorsque des cellules d'une ligne de mots de récupération WLrec sont programmées avec succès mais que les cellules d'une ligne de travail adjacente WLrec +1 ne sont pas programmées avec succès, les données des cellules de WLrec peuvent être récupérées. Les cellules de WLrec +1 sont effacées de sorte qu'une tension passe-bas sur WLrec +1 est suffisante pour fournir ces cellules dans un état conducteur pendant la lecture de récupération de WLrec. Un couplage capacitif entre les lignes de mots qui décale la tension de seuil apparent des cellules sur WLrec est réduit de sorte qu'une lecture de récupération plus précise puisse être effectuée. Les tensions de lecture sur WLrec peuvent être décalées vers le haut par rapport aux tensions de lecture de ligne de base.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)