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1. (WO2018105787) MEMBRANE DE DIODE IONIQUE CONTENANT DES NANOPORES EFFILÉS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/105787 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/014402
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 09.12.2016
CIB :
C25D 11/04 (2006.01) ,C25D 11/12 (2006.01) ,C25D 11/18 (2006.01) ,C25D 11/24 (2006.01) ,B01D 71/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
04
de l'aluminium ou de ses alliages
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
04
de l'aluminium ou de ses alliages
12
Anodisation en plusieurs étapes, p.ex. dans différents bains
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
04
de l'aluminium ou de ses alliages
18
Post-traitement, p.ex. bouchage des pores
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
04
de l'aluminium ou de ses alliages
18
Post-traitement, p.ex. bouchage des pores
24
Post-traitement chimique
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
71
Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leurs matériaux; Procédés spécialement adaptés à leur fabrication
02
Matériaux inorganiques
Déposants :
주식회사 넥스트이앤엠 NEXTE&M CO., LTD. [KR/KR]; 인천시 남구 인하로 100, 벤쳐창업 1관 b02호 #b02, Venture Center 1, 100, Inha-ro Nam-gu Incheon 22212, KR
Inventeurs :
최기운 CHOI, Ki Woon; KR
Mandataire :
특허법인 한성 HANSUNG INTELLECTUAL PROPERTY; 서울시 강남구 강남대로 84길 23, 4층 4F., 23, Gangnam-daero 84-gil Gangnam-gu Seoul 06233, KR
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) IONIC DIODE MEMBRANE CONTAINING TAPERED NANO-PORES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MEMBRANE DE DIODE IONIQUE CONTENANT DES NANOPORES EFFILÉS ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(KO) 경사가 있는 나노기공을 포함하는 이온 다이오드막 및 그 제조 방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to an ionic diode membrane having a porous structure, which has ion selectivity and ion rectification characteristics by containing tapered nano-pores integrated therein, and a method for manufacturing the same and, more particularly, to: an ionic diode membrane which contains high-density tapered nano-pores integrated therein so as to not only have ion selectivity, but also exhibit rectification characteristics by inducing a concentration gradient along the nano-pore axis through surface charge density mismatch due to low membrane resistance; and a method for manufacturing an ionic diode membrane, which can control various properties of the ionic diode membrane, such as rectification characteristics and membrane resistance, by adjusting anodization process conditions so as to freely control the morphology of the ionic diode membrane according to designs.
(FR) La présente invention concerne une membrane de diode ionique présentant une structure poreuse, qui présente une sélectivité ionique et des caractéristiques de rectification d'ions par le fait de contenir des nanopores effilés intégrés en son sein, et un procédé pour sa fabrication et plus particulièrement : une membrane de diode ionique qui contient des nanopores effilés de haute densité intégrés en son sein, de façon à présenter non seulement une sélectivité ionique, mais également des caractéristiques de rectification par induction d'un gradient de concentration le long de l'axe des nanopores par un désappariement de densité de charge de surface dû à une faible résistance de membrane ; et un procédé de fabrication d'une membrane de diode ionique, qui permet de réguler diverses propriétés de la membrane de diode ionique, telles que des caractéristiques de rectification et la résistance de membrane, par l'ajustement des conditions de traitement d'anodisation de manière à réguler librement la morphologie de la membrane de diode ionique conformément aux conceptions.
(KO) 본 발명은 경사가 있는 나노 기공이 집적되어 이온선택성과 이온정류특성을 갖는 다공 구조의 이온 다이오드막과 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이온선택성을 갖는 것 뿐만 아니라 막저항이 낮아 표면전하밀도 비대층에 의한 농도구배를 나노 기공 축을 따라서 유도하여 정류특성을 갖도록 경사가 있는 나노기공이 고밀도로 집적된 이온 다이오드막과, 양극산화 공정조건을 조절하여 이온 다이오드막의 형태를 설계에 따라서 자유롭게 제어함으로써 이온 다이오드막의 정류특성이나 막저항 등의 다양한 특성을 조절할 수 있는 이온 다이오드막 제조방법에 관한 것이다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)