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1. (WO2018105662) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/105662    International Application No.:    PCT/JP2017/043841
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 07 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 23/29
H01L 21/3205
H01L 21/56
H01L 21/768
H01L 23/12
H01L 23/31
H01L 23/522
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
日立化成株式会社
Inventors: KASAHARA Aya
笠原 彩
NONAKA Toshihisa
野中 敏央
FUJIMOTO Daisuke
藤本 大輔
SUZUKI Naoya
鈴木 直也
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant : une étape (I) dans laquelle un ou plusieurs éléments semiconducteurs, dont chacun a une surface active, sont disposés sur un film de résine thermodurcissable contenant une composition de résine thermodurcissable de telle sorte que le film de résine thermodurcissable et les surfaces actives des éléments semiconducteurs sont en contact l'un avec l'autre; une étape (II) dans laquelle les éléments semiconducteurs disposés sur le film de résine thermodurcissable sont scellés au moyen d'un élément pour scellement de semiconducteur; une étape (III) dans laquelle le film de résine thermodurcissable ou un produit durci de celui-ci comprend une ouverture qui atteint les surfaces actives des éléments semiconducteurs après l'étape (II); et une étape (IV) dans laquelle l'ouverture est remplie d'un conducteur, ou en variante, une couche conductrice est formée à l'intérieur de l'ouverture.