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1. (WO2018105618) SUBSTRAT CENTRAL, SUBSTRAT DE CÂBLAGE MULTICOUCHE, BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR, MODULE SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT REVÊTU DE CUIVRE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT CENTRAL
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N° de publication :    WO/2018/105618    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/043677
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 05.12.2017
CIB :
H05K 1/09 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/15 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01)
Déposants : TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
Inventeurs : TSUCHIDA, Tetsuyuki; (JP)
Mandataire : KURATA, Masatoshi; (JP).
NOGAWA, Nobuhisa; (JP).
KOHNO, Naoki; (JP).
INOUE, Tadashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-237659 07.12.2016 JP
Titre (EN) CORE SUBSTRATE, MULTILAYER WIRING SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE, COPPER-CLAD SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING CORE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT CENTRAL, SUBSTRAT DE CÂBLAGE MULTICOUCHE, BOÎTIER SEMI-CONDUCTEUR, MODULE SEMI-CONDUCTEUR, SUBSTRAT REVÊTU DE CUIVRE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT CENTRAL
(JA) コア基板、多層配線基板、半導体パッケージ、半導体モジュール、銅張基板、及びコア基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technique which makes cracking of a glass core substrate less likely to occur. A core substrate 1 according to the present invention is provided with a glass plate 10 and a first conductor pattern 20 that is provided on one main surface of the glass plate 10. The first conductor pattern 20 comprises: a first nickel plating layer 210 which is provided on the one main surface of the glass plate 10 and has a phosphorus content of 5% by mass or less; and a first copper plating layer 22 which is provided on the first nickel plating layer 210.
(FR)L'invention concerne une technique qui permet qu'il y ait moins de risque d'apparition d'une craquelure sur un substrat central en verre. Un substrat central (1) selon la présente invention est constitué d'une plaque de verre (10) et d'un premier motif conducteur (20) qui est disposé sur une surface principale de la plaque de verre (10). Le premier motif conducteur (20) comprend : une première couche de placage de nickel (210) qui est disposée sur la surface principale de la plaque de verre (10) et a une teneur en phosphore inférieure ou égale à 5 % en masse; et une première couche de placage de cuivre (22) qui est disposée sur la première couche de placage de nickel (210).
(JA)ガラスコア基板の割れを生じにくくする技術を提供する。 本発明のコア基板1は、ガラス板10と、前記ガラス板10の一方の主面上に設けられた第1導体パターン20とを備え、前記第1導体パターン20は、前記ガラス板10の前記一方の主面上に設けられた、リン含有率が5質量%以下の第1ニッケルめっき層210と、前記第1ニッケルめっき層210上に設けられた第1銅めっき層22とを含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)