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1. (WO2018105589) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2018/105589 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/043581
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 05.12.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
3
Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
26
faisant varier la phase relative ou l'amplitude relative et l'énergie d'excitation entre deux ou plusieurs éléments rayonnants actifs; faisant varier la distribution de l'énergie à travers une ouverture rayonnante
30
faisant varier la phase
34
par des moyens électriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
3
Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
44
faisant varier les caractéristiques électriques ou magnétiques des dispositifs de réflexion, de réfraction ou de diffraction associés à l'élément rayonnant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
13
Cornets ou embouchures de guide d'onde; Antennes à fentes; Antennes guide d'onde à ondes de fuite; Structures équivalentes produisant un rayonnement le long du trajet de l'onde guidée
20
Antennes constituées par un guide non résonnant à ondes de fuite ou une ligne de transmission; Structures équivalentes produisant un rayonnement le long du trajet de l'onde guidée
22
Fente longitudinale dans la paroi limite du guide d'onde ou d'une ligne de transmission
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : MISAKI Katsunori; --
Mandataire : OKUDA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-23926609.12.2016JP
Titre (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA COMPRISING TFT SUBSTRATE, AND TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abrégé :
(EN) A TFT substrate (105) having a dielectric substrate (1) and a plurality of antenna unit areas (U) arranged upon the dielectric substrate. Each of the plurality of antenna unit areas has a TFT (10) and a patch electrode (7PE) connected to a drain electrode (7D) in the TFT. The TFT substrate has: a source metal layer (7) supported by the dielectric substrate and including a TFT source electrode (7S), the drain electrode, a source bus line (SL) connected to the source electrode, and the patch electrode; a gate metal layer (3) formed upon the source metal layer and including a TFT gate electrode (3G) and a gate bus line (GL) connected to the gate electrode; a gate insulation layer (4) formed between the source metal layer and the gate metal layer; and an interlayer insulation layer (11) formed upon the gate metal layer.
(FR) L'invention concerne un substrat de transistor à couches minces (105) comprenant un substrat diélectrique (1) et une pluralité de zones d'unité d'antenne (U) disposées sur le substrat diélectrique. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne a un transistor à couches minces (10) et une électrode à plaque (7PE) connectée à une électrode de drain (7D) dans le transistor à couches minces. Le substrat de transistor à couches minces comprend : une couche de métal de source (7) supportée par le substrat diélectrique et comprenant une électrode de source de transistor à couches minces (7S), l'électrode de drain, une ligne de bus de source (SL) connectée à l'électrode de source, et l'électrode à plaque ; une couche de métal de grille (3) formée sur la couche de métal de source et comprenant une électrode de grille de transistor à couches minces (3G) et une ligne de bus de grille (GL) connectée à l'électrode de grille ; une couche d'isolation de grille (4) formée entre la couche de métal de source et la couche de métal de grille ; et une couche d'isolation intercalaire (11) formée sur la couche de métal de grille.
(JA) TFT基板(105)は、誘電体基板(1)と、誘電体基板上に配列された複数のアンテナ単位領域(U)とを有し、複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に接続されたパッチ電極(7PE)とを有する。TFT基板は、誘電体基板に支持され、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極、ソース電極に接続されたソースバスライン(SL)、およびパッチ電極を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成され、TFTのゲート電極(3G)およびゲート電極に接続されたゲートバスライン(GL)を含むゲートメタル層(3)と、ソースメタル層とゲートメタル層との間に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲートメタル層上に形成された層間絶縁層(11)とを有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)