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1. (WO2018105485) POUDRE DE CRISTAUX DE PENTAHYDRATE D'HYPOCHLORITE DE SODIUM, SA MÉTHODE DE PRODUCTION, ET SOLUTION AQUEUSE D'HYPOCHLORITE DE SODIUM L'UTILISANT
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N° de publication :    WO/2018/105485    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/043050
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 30.11.2017
CIB :
C01B 11/06 (2006.01)
Déposants : KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 3-18, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288 (JP)
Inventeurs : KUWAHATA Mitsuyoshi; (--)
Mandataire : IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-235616 05.12.2016 JP
Titre (EN) SODIUM HYPOCHLORITE PENTAHYDRATE CRYSTAL POWDER, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND AQUEOUS SOLUTION OF SODIUM HYPOCHLORITE USING SAME
(FR) POUDRE DE CRISTAUX DE PENTAHYDRATE D'HYPOCHLORITE DE SODIUM, SA MÉTHODE DE PRODUCTION, ET SOLUTION AQUEUSE D'HYPOCHLORITE DE SODIUM L'UTILISANT
(JA) 次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶粉体、その製造方法及びそれを用いた次亜塩素酸ナトリウムの水溶液
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a production method for a sodium hypochlorite pentahydrate crystal powder, said production method including a drying step in which a gas having a temperature of less than 25°C, a dew point of -2°C or lower, and a carbon dioxide gas concentration in the range of 250-1600 ppm inclusive is used to dry sodium hypochlorite pentahydrate crystals in a wet state including sodium hydroxide at a concentration of 0.01 wt% or higher, until the moisture content between crystals becomes 2.5 wt% or lower. The present invention also relates to a sodium hypochlorite pentahydrate crystal powder in which sodium carbonate is present on the surfaces of the sodium hypochlorite pentahydrate crystals, the sodium carbonate concentration is 0.1 wt% or higher, and the moisture content between crystals is 2.5 wt% or lower.
(FR)La présente invention concerne une méthode de production d'une poudre de cristaux de pentahydrate d'hypochlorite de sodium, ladite méthode de production comprenant une étape de séchage dans laquelle un gaz ayant une température inférieure à 25 °C, un point de rosée de -2 °C ou moins, et une concentration en dioxyde de carbone gazeux dans la plage de 250 à 1600 ppm inclus, est utilisé pour sécher des cristaux de pentahydrate d'hypochlorite de sodium dans un état humide comprenant de l'hydroxyde de sodium à une concentration de 0,01 % en poids ou plus, jusqu'à ce que la teneur en humidité entre les cristaux devienne inférieure ou égale à 2,5 % en poids. La présente invention concerne également une poudre de cristaux de pentahydrate d'hypochlorite de sodium dans laquelle du carbonate de sodium est présent sur les surfaces des cristaux de pentahydrate d'hypochlorite de sodium, la concentration en carbonate de sodium est égale ou supérieure à 0,1 % en poids, et la teneur en humidité entre les cristaux est inférieure ou égale à 2,5 % en poids.
(JA)本発明は、濃度0.01重量%以上の水酸化ナトリウムを含有する湿潤状態の次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶を、25℃未満の温度で、露点が-2℃以下、かつ炭酸ガス濃度が250ppm以上1600ppm以下の気体を用いて、結晶間水分率が2.5重量%以下になるまで乾燥する乾燥工程を含む、次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶粉体の製造方法に関する。本発明は、また、次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶の表面に存在する炭酸ナトリウムを有し、前記炭酸ナトリウムの濃度が0.1重量%以上であり、結晶間水分率が2.5重量%以下である次亜塩素酸ナトリウム5水和物結晶粉体に関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)