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1. (WO2018105317) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, ET TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/105317    International Application No.:    PCT/JP2017/040698
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Nov 14 00:59:59 CET 2017
IPC: C30B 29/06
C30B 15/20
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: SUGAWARA Kosei
菅原 孝世
HOSHI Ryoji
星 亮二
Title: PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, ET TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de production d’un monocristal de silicium dans lequel un monocristal de silicium est cultivé d’une manière telle que la relation représentée par la formule : 1096/D-(0,134 x M + 80 x R)/D > 0,7 peut être satisfaite, le diamètre d’étirage du monocristal de silicium étant de 300 mm ou plus, le sens de l’axe de croissance du monocristal de silicium est de <111>, D [mm] représente le diamètre d’étirage du monocristal de silicium, M [Gauss] représente la force du champ magnétique central de la surface d’une masse fondue de matière première, et R [tr/min] représente la vitesse de rotation du monocristal de silicium dans l’étirage du monocristal de silicium par le procédé de Czochralski tout en appliquant un champ magnétique à la masse fondue de matière première. Il devient possible de produire un cristal <111> présentant une bonne distribution (RRG) macroscopique et de bonnes fluctuations microscopiques en termes de résistivité.