WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018105306) SUPPORT DE DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE, DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/105306 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040503
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 10.11.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/08 (2012.01) ,B24B 37/28 (2012.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.[JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs : TANAKA Yuki; JP
KITAZUME Daichi; JP
Mandataire : YOSHIMIYA Mikio; JP
KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-23917409.12.2016JP
Titre (EN) DOUBLE-SIDE POLISHING DEVICE CARRIER, DOUBLE-SIDE POLISHING DEVICE, AND DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD
(FR) SUPPORT DE DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE, DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE
(JA) 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法
Abrégé : front page image
(EN) The present invention provides a double-side polishing device carrier for a double-side polishing device which performs double-side polishing of a semiconductor silicon wafer, wherein the double-side polishing device carrier is disposed between upper and lower surface plates each having polishing cloth attached thereto, and is formed with holding holes for holding the semiconductor silicon wafer being sandwiched between the upper and lower surface plates during polishing. The double-side polishing device carrier is made of resin, has an average contact angle value of not less than 45° and not more than 60° with respect to pure water on front and back surfaces that contact the polishing cloth, wherein a difference between the average contact angle values on a front surface and a back surface is not more than 5°. Thus, there are provided a double-side polishing device carrier which uses a resin carrier and with which the rate of polishing of a semiconductor silicon wafer can be improved, and a double-side polishing device and a double-side polishing method using the same.
(FR) La présente invention concerne un support de dispositif de polissage double face pour un dispositif de polissage double face qui effectue un polissage double face d'une tranche de silicium semi-conductrice, le support de dispositif de polissage double face étant disposé entre des plaques de surface supérieure et inférieure ayant chacune un tissu de polissage fixé à celles-ci, et étant formé avec des trous de maintien pour maintenir la tranche de silicium semi-conductrice prise en sandwich entre les plaques de surface supérieure et inférieure pendant le polissage. Le support de dispositif de polissage double face est constitué de résine, a une valeur d'angle de contact moyen supérieure ou égale à 45° et inférieure ou égale à 60° par rapport à l'eau pure sur les surfaces avant et arrière qui entrent en contact avec le tissu de polissage, une différence entre les valeurs d'angle de contact moyen sur une surface avant et une surface arrière étant inférieure ou égale à 5°. Ainsi, l'invention concerne un support de dispositif de polissage double face qui utilise un support de résine et avec lequel la vitesse de polissage d'une tranche de silicium semi-conductrice peut être améliorée, et un dispositif de polissage double face ainsi qu'un procédé de polissage double face l'utilisant.
(JA) 本発明は、半導体シリコンウェーハを両面研磨する両面研磨装置において、研磨布がそれぞれ貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた前記半導体シリコンウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、該両面研磨装置用キャリアは樹脂製であり、前記研磨布と接触する表裏面の純水に対する接触角の平均値が45°以上60°以下であり、かつ、オモテ面とウラ面の接触角の平均値の差が5°以内である両面研磨装置用キャリアを提供する。これにより、樹脂製キャリアを用いた、半導体シリコンウェーハの研磨レートを向上させることができる両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)