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1. (WO2018105258) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/105258    International Application No.:    PCT/JP2017/038448
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Oct 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 23/12
H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/522
Applicants: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD.
日立オートモティブシステムズ株式会社
Inventors: WADA Shinichirou
和田 真一郎
OSHIMA Takayuki
大島 隆文
Title: DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention vise à réduire l'espace entre des lignes de câblage mutuellement adjacentes, tout en supprimant la baisse de fiabilité d'isolation provoquée par la migration d'ions entre les lignes de câblage. Selon la présente invention, un dispositif semiconducteur qui comprend une couche de câblage dans laquelle une première ligne de câblage (7) et une deuxième ligne de câblage (8) mutuellement adjacentes sont recouvertes par une couche de résine, est conçu de telle sorte que : la première ligne de câblage (7) est formée sur un film isolant (2) ; la deuxième ligne de câblage (8) est formée sur un film en résine (3) qui est formé sur le film isolant (2) ; et le potentiel appliqué sur la première ligne de câblage (7) et le potentiel appliqué sur la deuxième ligne de câblage (8) sont différents l'un de l'autre.