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1. (WO2018105219) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/105219    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/036397
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8310 Japan (JP)
Inventeurs : TEO, Koon Hoo; (US).
TANG, Chenjie; (US).
LIN, Chungwei; (US)
Mandataire : SOGA, Michiharu; S. Soga & Co. 8th Floor, Kokusai Building 1-1, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
15/371,360 07.12.2016 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a substrate (10), a back-barrier layer (11) arranged on the substrate, the back-barrier layer including first p-type dopant atoms, an intermediate or nucleation layer (12) having a lattice constant different from a lattice constant of the back-barrier layer, a semiconductor heterostructure having a channel layer (13), a spacer layer (14) on the channel layer and a barrier layer (15) on the spacer layer, wherein a combination of materials of the barrier layer, the spacer layer and the channel layer is selected such that a carrier charge is provided to the channel layer, a gate layer (18) arranged to partially cover a top of the barrier layer, wherein the gate layer includes second p-type dopant atoms, and a set of electrodes (S, G, D) for providing and controlling the carrier charge in the carrier channel.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat (10), une couche de barrière arrière (11) disposée sur le substrat, la couche de barrière arrière comprenant des premiers atomes de dopant de type p, une couche intermédiaire ou de nucléation (12) ayant une constante de réseau différente d'une constante de réseau de la couche de barrière arrière, une hétérostructure semiconductrice ayant une couche de canal (13), une couche d'espacement (14) sur la couche de canal et une couche barrière (15) sur la couche d'espacement, une combinaison de matériaux de la couche barrière, de la couche d'espacement et de la couche de canal étant sélectionnée de telle sorte qu'une charge porteuse est fournie à la couche de canal, une couche de grille (18) agencée pour recouvrir partiellement une partie supérieure de la couche barrière, la couche de grille comprenant des seconds atomes de dopant de type p, et un ensemble d'électrodes (S, G, D) pour fournir et commander la charge porteuse dans le canal porteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)