WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018105123) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANOPORES, DISPOSITIF DE FORMATION DE NANOPORES ET DISPOSITIF DE MESURE DE BIOMOLÉCULES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/105123 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/086812
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 09.12.2016
CIB :
B01J 19/08 (2006.01) ,B82Y 5/00 (2011.01) ,C12M 1/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION[JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs : YANAGAWA Yoshimitsu; JP
TAKEDA Kenichi; JP
YANAGI Itaru; JP
GOTO Yusuke; JP
MATSUI Kazuma; JP
Mandataire : HIRAKI Yusuke; JP
FUJITA Takashi; JP
WATANABE Toshiaki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NANOPORE-FORMING METHOD, NANOPORE-FORMING DEVICE AND BIOMOLECULE MEASUREMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE NANOPORES, DISPOSITIF DE FORMATION DE NANOPORES ET DISPOSITIF DE MESURE DE BIOMOLÉCULES
(JA) ナノポア形成方法、ナノポア形成装置及び生体分子計測装置
Abrégé : front page image
(EN) The present invention forms nanopores in a thin film at high speed by: applying a first modulation voltage on the thin film; comparing a threshold value with the magnitude of change in the phase of the electric current flowing in the thin film with respect to the phase of the first modulation voltage; and when the magnitude of the phase change is detected to have exceeded the threshold value, stopping the application of the first modulation voltage.
(FR) La présente invention forme des nanopores dans un film mince à grande vitesse par: l'application d'une première tension de modulation sur le film mince; la comparaison d'une valeur de seuil avec l'amplitude du changement de phase du courant électrique circulant dans le film mince par rapport à la phase de la première tension de modulation; et lorsque l'amplitude du changement de phase est détectée pour avoir dépassé la valeur de seuil, l'arrêt de l'application de la première tension de modulation.
(JA) 薄膜に第1変調電圧を印加し、第1変調電圧の位相に対して薄膜に流れる電流の位相の変化量を閾値と比較し、位相の変化量が閾値を超えたことが検出されたとき第1変調電圧の印加を停止することにより、薄膜にナノポアを高速に形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)