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1. (WO2018105075) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/105075 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/086473
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 08.12.2016
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : TANAKA Mitsugu; JP
ISHIYAMA Yusuke; JP
SHIRAO Akitoshi; JP
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; JP
ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体装置および電力変換装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a semiconductor device wherein the occurrence of air bubbles in a resin that seals constituent members is suppressed with a simple configuration; and a power conversion device. A semiconductor device relating to the present invention is provided with: a conductive layer 11 disposed on an insulating substrate 1; a first semiconductor element and a second semiconductor element, which are bonded on a conductive layer 11 surface on the reverse side of the insulating substrate 1 by having a gap therebetween; an electrode member 21 bonded across the gap, said electrode member being on a first semiconductor element surface on the reverse side of the conductive layer 11, and a second semiconductor element surface on the reverse side of the conductive layer 11; and a resin 2 that seals the conductive layer 11, the first semiconductor element, the second semiconductor element, and the electrode member 21. In a conductive layer 11 surface on the reverse side of the insulating substrate 1, said surface corresponding to the gap, a recessed pattern 4 is formed along the gap.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir : un dispositif à semi-conducteur dans lequel l'apparition de bulles d'air dans une résine qui scelle les éléments constitutifs est supprimée avec une configuration simple ; et un dispositif de conversion de puissance. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : une couche conductrice 11 disposée sur un substrat isolant 1 ; un premier élément semi-conducteur et un second élément semi-conducteur, qui sont liés sur une surface de couche conductrice 11 sur le côté inverse du substrat isolant 1, un espace étant prévu entre eux ; un élément d'électrode 21 lié à travers l'espace, ledit élément d'électrode étant sur une première surface d'élément semi-conducteur sur le côté inverse de la couche conductrice 11, et une seconde surface d'élément semi-conducteur sur le côté inverse de la couche conductrice 11 ; et une résine 2 qui scelle la couche conductrice 11, le premier élément semi-conducteur, le second élément semi-conducteur et l'élément d'électrode 21. Dans une surface de couche conductrice 11 sur le côté inverse du substrat isolant 1, ladite surface correspondant à l'espace, un motif en creux 4 est formé le long de l'espace.
(JA) 本発明は簡易な構成で構成部材を封止する樹脂の内部に気泡が発生することを抑制した半導体装置および電力変換装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、絶縁基板1上に配置された導電層11と、導電層11の前記絶縁基板1と反対側の面に、互いに隙間を隔てて接合された第1の半導体素子および第2の半導体素子と、第1の半導体素子の導電層11と反対側の面および第2の半導体素子の導電層11と反対側の面に、隙間にまたがって接合された電極部材21と、導電層11、第1の半導体素子、第2の半導体素子、電極部材21を封止する樹脂2と、を備え、導電層11の絶縁基板1と反対側の隙間に対応する面には、隙間に沿って凹状パターン4が形成されている。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)