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1. (WO2018105015) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE LASER
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N° de publication : WO/2018/105015 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/086101
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 05.12.2016
CIB :
H01S 5/16 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
16
Lasers du type à fenêtre, c.à d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
蔵本 恭介 KURAMOTO, Kyosuke; JP
楠 政諭 KUSUNOKI, Masatsugu; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE LASER
(JA) 半導体レーザの製造方法
Abrégé :
(EN) The semiconductor laser according to the present invention is formed by sequentially laminating a lower cladding layer (2), an active layer (4), and an upper cladding layer (6) on a semiconductor substrate (1). At least two window regions (13, 14) having different mixed crystal ratios in the active layer (4) are formed by performing an impurity diffusion step at least two times with respect to an end surface portion of the semiconductor laser.
(FR) La diode laser selon la présente invention est formée par stratification séquentielle d'une couche de gainage inférieure (2), d'une couche active (4) et d'une couche de gainage supérieure (6) sur un substrat semi-conducteur (1). Au moins deux régions de fenêtre (13, 14) ayant différents rapports cristallins mélangés dans la couche active (4) sont formées par réalisation d'une étape de diffusion d'impuretés au moins deux fois par rapport à une partie de surface d'extrémité de la diode laser.
(JA) 半導体基板(1)の上に、下クラッド層(2)、活性層(4)、及び上クラッド層(6)を順に積層して半導体レーザを形成する。半導体レーザの端面部分に不純物拡散工程を少なくとも2回実施することで活性層(4)の混晶化の割合が異なる少なくとも2つの窓領域(13,14)を形成する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)