Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018104943) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/104943 N° de la demande internationale : PCT/IL2017/051322
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 06.12.2017
CIB :
H01L 31/0272 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0272
Sélénium ou tellure
Déposants :
SOLARPAINT LTD. [IL/IL]; Kibbutz Nahsholim, 3081500 D.N. Hof Carmel, IL
Inventeurs :
MAIMON, Eran; IL
Mandataire :
TAUBER, Gilad; IL
Données relatives à la priorité :
62/430,58906.12.2016US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC CELL AND METHOD OF FABRICATION THEREOF
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A photovoltaic device is described. The device comprises active absorber layer comprising Selenium active material and being in electrical contact with at least one electron collection electrode and at least one hole collection electrode. The photoelectric device comprises charge selective layer comprising a selenium compound based charge selective layer, such as Selenide-based material, at interface of at least one of the hole and electron collecting electrodes with the active absorber layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque. Le dispositif comprend une couche d'absorbeur active comprenant un matériau actif de sélénium et étant en contact électrique avec au moins une électrode de collecte d'électrons et au moins une électrode de collecte de trous. Le dispositif photoélectrique comprend une couche sélective de charge comprenant une couche sélective de charge à base de composé de sélénium, telle qu'un matériau à base de séléniure, au niveau de l'interface de l'electrode de collecte d'electr et/ou de l'electrode de collecte d'électrons avec la couche d'absorbeur active.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)