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1. (WO2018104910) FILM À POINTS QUANTIQUES ET SES APPLICATIONS
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N° de publication : WO/2018/104910 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/057736
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 07.12.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
SABIC GLOBAL TECHNOLOGIES B.V. [NL/NL]; Plasticslaan 1 4612 PX Bergen Op Zoom, NL
Inventeurs :
SHEN, Kahee; KR
LEE, Sun Young; KR
LIM, Jeongmin; KR
LEE, Chunim; KR
LEE, Jong Woo; KR
HYUN, Soonyoung; KR
Données relatives à la priorité :
62/431,07907.12.2016US
Titre (EN) QUANTUM DOT FILM AND APPLICATIONS THEREOF
(FR) FILM À POINTS QUANTIQUES ET SES APPLICATIONS
Abrégé :
(EN) An article including a first layer and a second layer; a quantum dot layer disposed between the first layer and the second layer; and wherein the quantum dot layer includes at least one quantum dot having an alloyed core, wherein the alloyed core includes a group III-V semiconductor alloyed with a group II-VI cadmium free compound, and wherein the core and shell emit in a bandwidth less than 50 nanometers.
(FR) Un article comprend une première couche et une seconde couche ; une couche de points quantiques disposée entre la première couche et la seconde couche ; et la couche de points quantiques comprenant au moins un point quantique ayant un noyau allié, le noyau allié comprenant un semi-conducteur du groupe III-V allié avec un composé exempt de cadmium du groupe II-VI, et le noyau et l'écorce émettant dans une bande passante inférieure à 50 nanomètres.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)