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1. (WO2018104136) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR

Pub. No.:    WO/2018/104136    International Application No.:    PCT/EP2017/080919
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/778
H01L 21/338
H01L 29/40
H01L 29/423
H01L 29/20
Applicants: UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: BEHAMMER, Dag
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR
Abstract:
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un transistor, en particulier d’un transistor à haute mobilité électronique à base de nitrure de gallium. Après formation d’une couche métallique structurée dans une première zone de grille au moyen d’une première couche de résine photosensible temporairement structurée, dépôt d’une couche intermédiaire (ZS) et dépôt d’une seconde couche isolante (IS 2), on effectue une structuration d’une seconde couche de résine photosensible (FL 2) pour dégager une seconde zone de grille (GB 2), une première magnétorésistance (FP 1) et une seconde magnétorésistance (FP 2) étant ensuite formées sur la face concernée de la seconde zone de grille sous la forme de magnétorésistances enterrées.