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1. (WO2018103647) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR À ULTRAVIOLETS À BASE DE MATÉRIAU DE GA2O3
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N° de publication : WO/2018/103647 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/114675
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 05.12.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/107 (2006.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/11 (2006.01) ,H01L 31/0296 (2006.01)
Déposants : XIDIAN UNIVERSITY[CN/CN]; ZU'Yu No. 2, South Taibai Road Xi'an, Shaanxi 710071, CN
Inventeurs : JIA, Renxu; CN
YUAN, Lei; CN
ZHANG, Hongpeng; CN
ZHANG, Yuming; CN
Mandataire : XI'AN JUST IP FIRM; Agent department Changchun Liu Room 10401-033, 1st department liren tech 1st building, Gaoxin 6th Road, Hitech Zone Xi'an, Shaanxi 710068, CN
Données relatives à la priorité :
201611124461.508.12.2016CN
201611124463.408.12.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR BASED ON GA2O3 MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR À ULTRAVIOLETS À BASE DE MATÉRIAU DE GA2O3
(ZH) 基于Ga2O3材料的紫外光电探测器的制备方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a method for fabricating an ultraviolet photodetector based on a Ga2O3 material. The fabrication comprises: selecting a substrate (step 101);forming a Ga2O3 layer on the substrate (step 102); forming a top electrode on the Ga2O3 layer (step 103); A Ga2O3 material is used and light transmittance in a blind zone can reach 80% or higher, even up to 90%, making it suitable for use in a light-absorbing layer; in addition, the transparent conductive electrical properties of the invention also are advantageous to increasing the light absorption capability of the light-absorbing layer, thus significantly improving the device performance of the photodetector diode.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un photodétecteur à ultraviolets à base d’un matériau de Ga2O3. La fabrication consiste : à sélectionner un substrat (étape 101) ; à former une couche de Ga2O3 sur le substrat (étape 102) ; à former une électrode supérieure sur la couche de Ga2O3 (étape 103) ; un matériau de Ga2O3 est utilisé et la transmittance de lumière dans une zone aveugle peut atteindre 80 % ou plus, voire 90 %, le rendant approprié à un usage dans une couche absorbant la lumière ; de plus, les propriétés électriques conductrices transparentes de l’invention sont également avantageuses pour l’accroissement de la capacité d’absorption de lumière de la couche absorbant la lumière, améliorant ainsi significativement la performance de dispositif de la diode de photodétecteur.
(ZH) 一种基于Ga 2O 3材料的紫外光电探测器的制备方法。其中该制备包括:选取衬底(步骤101);在衬底上形成Ga 2O 3层(步骤102);在Ga 2O 3层上形成顶电极(步骤103);在该衬底下表面形成底电极(步骤104)。采用Ga 2O 3材料,在日盲区光透率可达80%以上,甚至到90%,适合应用于光吸收层,此外其透明导电的电学特性也有利于提高光吸收层的光吸收能力,进而大幅提高光电探测二极管的器件性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)