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1. (WO2018103647) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR À ULTRAVIOLETS À BASE DE MATÉRIAU DE GA2O3

Pub. No.:    WO/2018/103647    International Application No.:    PCT/CN2017/114675
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 06 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 31/18
H01L 31/107
H01L 31/032
H01L 31/11
H01L 31/0296
Applicants: XIDIAN UNIVERSITY
西安电子科技大学
Inventors: JIA, Renxu
贾仁需
YUAN, Lei
元磊
ZHANG, Hongpeng
张弘鹏
ZHANG, Yuming
张玉明
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR À ULTRAVIOLETS À BASE DE MATÉRIAU DE GA2O3
Abstract:
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un photodétecteur à ultraviolets à base d’un matériau de Ga2O3. La fabrication consiste : à sélectionner un substrat (étape 101) ; à former une couche de Ga2O3 sur le substrat (étape 102) ; à former une électrode supérieure sur la couche de Ga2O3 (étape 103) ; un matériau de Ga2O3 est utilisé et la transmittance de lumière dans une zone aveugle peut atteindre 80 % ou plus, voire 90 %, le rendant approprié à un usage dans une couche absorbant la lumière ; de plus, les propriétés électriques conductrices transparentes de l’invention sont également avantageuses pour l’accroissement de la capacité d’absorption de lumière de la couche absorbant la lumière, améliorant ainsi significativement la performance de dispositif de la diode de photodétecteur.