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1. (WO2018103646) PROCÉDÉ À BASE DE MATÉRIAU DE CH3NH3PBI3 POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR HEMT/HHMT
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N° de publication :    WO/2018/103646    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/114674
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 05.12.2017
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : XIDIAN UNIVERSITY [CN/CN]; 左瑜 No. 2, South Taibai Road Xi'an, Shaanxi 710071 (CN)
Inventeurs : JIA, Renxu; (CN).
YUAN, Lei; (CN).
WANG, Yucheng; (CN).
PANG, Tiqiang; (CN).
ZHANG, Yuming; (CN)
Mandataire : XI'AN JUST IP FIRM; Agent Department Changchun Liu Room 10401-033, 1st department liren tech 1st building, Gaoxin 6th road, Hitech Zone Xi'an, Shaanxi 710068 (CN)
Données relatives à la priorité :
201611124458.3 08.12.2016 CN
201611122943.7 08.12.2016 CN
201611123708.1 08.12.2016 CN
201710074139.4 10.02.2017 CN
Titre (EN) CH3NH3PBI3 MATERIAL-BASED METHOD FOR FABRICATING HEMT/HHMT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ À BASE DE MATÉRIAU DE CH3NH3PBI3 POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR HEMT/HHMT
(ZH) 基于CH3NH3PbI3材料的HEMT/HHMT器件的制备方法
Abrégé : front page image
(EN)A C3NH3PbI3 material-based method for fabricating a High Electron Mobility Transistor (HEMT)/High Hole Mobility Transistor (HHMT) device. The fabrication comprises: selecting an Al2O3 substrate (101); fabricating a source electrode and a drain electrode (105); forming a first electron transport layer (106) on the source electrode, the drain electrode (105) and a surface of the Al2O3 substrate (101) which is not covered by the source electrode and the drain electrode (105); fabricating a CH3NH3PbI3 material on a surface of the first electron transport layer (106) to form a first light-absorbing layer (107); forming a gate electrode (108) on a surface of the first light-absorbing layer (107) so as to complete the fabrication of an HEMT device.
(FR)L'invention concerne un procédé à base de matériau de C3NH3PbI3 pour fabriquer un dispositif de transistor à haute mobilité électronique (HEMT)/transistor à haute mobilité de trous (HHMT). La fabrication consiste à : sélectionner un substrat d'Al2O3 (101) ; fabriquer une électrode de source et une électrode de drain (105) ; former une première couche de transport d'électrons (106) sur l'électrode de source, l'électrode de drain (105) et une surface du substrat d'Al2O3 (101) qui n'est pas recouverte par l'électrode de source et l'électrode de drain (105) ; fabriquer un matériau de CH3NH3PbI3 sur une surface de la première couche de transport d'électrons (106) pour former une première couche d'absorption de lumière (107) ; former une électrode de grille (108) sur une surface de la première couche d'absorption de lumière (107) de façon à achever la fabrication d'un dispositif de transistor HEMT.
(ZH)一种基于CH 3NH 3PbI 3材料的HEMT/HHMT器件的制备方法。其中该制备包括:选取Al 2O 3衬底(101);制作源电极和漏电极(105);在源电极、漏电极(105)及未被源电极和漏电极(105)覆盖的Al 2O 3衬底(101)表面形成第一电子传输层(106);在第一电子传输层(106)表面制备CH 3NH 3PbI 3材料形成第一光吸收层(107);在第一光吸收层(107)表面形成栅电极(108)以完成所述HEMT器件的制备。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)