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1. (WO2018103645) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR PHOTOÉLECTRIQUE NPN/PNP DOTÉ D'UNE HÉTÉROJONCTION GA2O3/SIC

Pub. No.:    WO/2018/103645    International Application No.:    PCT/CN2017/114673
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 06 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 31/11
H01L 31/0352
H01L 31/18
Applicants: XIDIAN UNIVERSITY
西安电子科技大学
Inventors: YUAN, Lei
元磊
JIA, Renxu
贾仁需
ZHANG, Hongpeng
张弘鹏
ZHANG, Yuming
张玉明
Title: PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN TRANSISTOR PHOTOÉLECTRIQUE NPN/PNP DOTÉ D'UNE HÉTÉROJONCTION GA2O3/SIC
Abstract:
L'invention concerne un procédé de préparation d'un transistor photoélectrique NPN/PNP doté d'une hétérojonction Ga2O3/SiC. Le procédé de préparation consiste : à sélectionner un substrat SiC (1) ; à faire croître une couche épitaxiale homogène (2) sur une surface du substrat SiC de façon à former un collecteur et à faire croître une couche épitaxiale hétérogène (3) sur une surface de la couche épitaxiale homogène, puis à réaliser une gravure de façon à former une région de base, et à faire croître un matériau β-Ga2O3 (4) sur une surface de la couche épitaxiale hétérogène, puis à réaliser une gravure de façon à former un émetteur ; à faire croître un premier matériau métallique sur une surface du collecteur de façon à former une électrode de collecteur (6) ; et à faire croître un second matériau métallique sur une surface de l'émetteur de façon à former une électrode d'émetteur (5).