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1. (WO2018103397) STRUCTURE DE BOÎTIER DE DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE BASÉE SUR UNE LIAISON MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/103397    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/101361
Date de publication : 14.06.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 31/02 (2006.01), H01L 31/0203 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; No.1, Tsinghua Yuan, Haidian District Beijing 100084 (CN).
NUCTECH COMPANY LIMITED [CN/CN]; 2nd Floor, Block A, TongFang Building, Shuangqinglu, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Wenjian; (CN).
ZHANG, Qingjun; (CN).
LI, Yuanjing; (CN).
CHEN, Zhiqiang; (CN).
ZHAO, Ziran; (CN).
LIU, Yinong; (CN).
LIU, Yaohong; (CN).
ZOU, Xiang; (CN).
HE, Huishao; (CN).
LI, Shuwei; (CN).
BAI, Nan; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd., Haidian District Beijing 100089 (CN)
Données relatives à la priorité :
201611120663.2 07.12.2016 CN
Titre (EN) PHOTOELECTRIC DEVICE PACKAGE STRUCTURE BASED ON METALLIC BONDING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE BOÎTIER DE DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE BASÉE SUR UNE LIAISON MÉTALLIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a photoelectric device package structure based on metallic bonding and a manufacturing method thereof. The photoelectric device package structure comprises a photoelectric chip (100) and a package base (200). The photoelectric chip comprises: a substrate (101) having a first surface (101-1S) and a second surface (101-2S) which are arranged opposite to each other; a photoelectric device formed at the substrate; and an electrode (107) formed at the first surface for use in the photoelectric device. The package base has a first surface (201-1S) and a second surface (201-2S) which are arranged opposite to each other. The package base further comprises an electrically-conductive channel (203) extending from the first surface to the second surface. The photoelectric chip is attached to the package base with the first surface thereof facing the package base, and the electrode formed at the first surface of the photoelectric chip is bonded to the corresponding electrically-conductive channel of the package base.
(FR)L'invention concerne une structure de boîtier de dispositif photoélectrique basée sur une liaison métallique et son procédé de fabrication. La structure de boîtier de dispositif photoélectrique comprend une puce photoélectrique (100) et une base de boîtier (200). La puce photoélectrique comprend : un substrat (101) ayant une première surface (101-1S) et une seconde surface (101-2S) qui sont disposées à l'opposé l'une de l'autre; un dispositif photoélectrique formé au niveau du substrat; et une électrode (107) formée au niveau de la première surface pour une utilisation dans le dispositif photoélectrique. La base de boîtier a une première surface (201-1S) et une seconde surface (201-2S) qui sont disposées à l'opposé l'une de l'autre. La base de boîtier comprend en outre un canal électroconducteur (203) s'étendant de la première surface à la seconde surface. La puce photoélectrique est fixée à la base de boîtier avec sa première surface faisant face à la base de boîtier, et l'électrode formée au niveau de la première surface de la puce photoélectrique est liée au canal électroconducteur correspondant de la base de boîtier.
(ZH)公开了一种基于金属键合的光电器件封装结构及其制造方法。该光电器件封装结构可以包括光电芯片(100)和封装基底(200)。光电芯片包括:衬底(101),具有彼此相对的第一表面(101-1S)和第二表面(101-2S);在衬底上形成的光电器件;以及在第一表面上形成的用于光电器件的电极(107)。封装基底具有彼此相对的第一表面(201-1S)和第二表面(201-2S),并包括从第一表面延伸到第二表面的导电通道(203)。光电芯片以其第一表面面向封装基底的方式与封装基底叠置在一起,且光电芯片的第一表面上形成的电极与封装基底中的相应导电通道键合在一起。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)