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1. (WO2018102364) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉCOUPAGE EN DÉS AU PLASMA D'UNE GALETTE EN SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/102364 N° de la demande internationale : PCT/US2017/063629
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 29.11.2017
CIB :
H01J 37/32 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : PLASMA-THERM, LLC[US/US]; 10050 16t Street North St. Petersburg, FL 33716, US
Inventeurs : CHIANG, Tsu-Wu; US
WESTERMAN, Russell; US
Mandataire : KAUGET, Harvey S.; US
Données relatives à la priorité :
15/824,16628.11.2017US
62/428,07830.11.2016US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA DICING A SEMI-CONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉCOUPAGE EN DÉS AU PLASMA D'UNE GALETTE EN SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN) The present invention provides a method for plasma dicing a substrate (100). The substrate is provided with a top surface and a bottom surface, the top surface of the substrate having a plurality of street areas (120) and at least one device structure (110). The substrate is placed onto a support film (300) on a frame (310) to form a work piece (320). A process chamber (600) having a plasma source is provided. A work piece support (630) is provided within the plasma process chamber. The work piece is placed onto the work piece support. A plasma (697) is generated from the plasma source in the plasma process chamber. The work piece is processed using the generated plasma and a byproduct generated from the support film while the support film is exposed to the generated plasma.
(FR) La présente invention concerne un procédé de découpage en dés au plasma d'un substrat (100). Le substrat est pourvu d'une surface supérieure et d'une surface inférieure, la surface supérieure du substrat ayant une pluralité de zones de piste (120) et au moins une structure de dispositif (110). Le substrat est placé sur un film support (300) sur un cadre (310) afin de former une pièce à usiner (320). L'invention concerne également une chambre de traitement (600) comprenant une source de plasma. Un support de pièce à usine (630) est disposé à l'intérieur de la chambre de traitement au plasma. La pièce à usiner est placée sur le support de pièce à usiner. Un plasma (697) est généré à partir de la source de plasma dans la chambre de traitement au plasma. La pièce à usiner est traitée en utilisant le plasma généré et un sous-produit généré à partir du film support pendant que le film support est exposé au plasma généré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)