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1. (WO2018102175) ÉLECTRODE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ÉLECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/102175 N° de la demande internationale : PCT/US2017/062534
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 20.11.2017
CIB :
G01N 27/327 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN PERFORMANCE PLASTICS CORPORATION[US/US]; 31500 Solon Road Solon, Ohio 44139, US
Inventeurs : DIGUET, Antoine; FR
HIVET, Romain; FR
Mandataire : HAMILTON, Brett A.; US
Données relatives à la priorité :
62/428,14330.11.2016US
Titre (EN) ELECTRODE AND METHOD FOR MAKING AN ELECTRODE
(FR) ÉLECTRODE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ÉLECTRODE
Abrégé : front page image
(EN) An electrode may include a substrate, a first layer and a second layer. The first layer may include an inorganic material. The first layer may further be disposed between the substrate and the second layer. The second layer may include ruthenium. The second layer may further have a hexagonal compact crystalline structure.
(FR) Une électrode peut comprendre un substrat, une première couche et une seconde couche. La première couche peut comprendre un matériau inorganique. La première couche peut en outre être disposée entre le substrat et la seconde couche. La seconde couche peut comprendre du ruthénium. La seconde couche peut en outre présenter une structure cristalline compacte hexagonale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)