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1. (WO2018101957) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT DES ÉLÉMENTS INDUISANT UNE CONTRAINTE D'EXTRÉMITÉ D'AILETTE
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N° de publication :    WO/2018/101957    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/064658
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 02.12.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : HO, Byron; (US).
HATTENDORF, Michael, L.; (US).
LUCE, Jeanne, L.; (US).
MAYS, Ebony, L.; (US).
THOMPSON, Erica, J.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-END STRESS-INDUCING FEATURES
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT DES ÉLÉMENTS INDUISANT UNE CONTRAINTE D'EXTRÉMITÉ D'AILETTE
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor devices having fin-end stress-inducing features, and methods of fabricating semiconductor devices having fin-end stress-inducing features, are described. In an example, a semiconductor structure includes a semiconductor fin protruding through a trench isolation region above a substrate. The semiconductor fin has a top surface, a first end, a second end, and a pair of sidewalls between the first end and the second end. A gate electrode is over a region of the top surface and laterally adjacent to a region of the pair of sidewalls of the semiconductor fin. The gate electrode is between the first end and the second end of the semiconductor fin. A first dielectric plug is at the first end of the semiconductor fin. A second dielectric plug is at the second end of the semiconductor fin.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur ayant des éléments induisant une contrainte d'extrémité d'ailette, et des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteur ayant des éléments induisant une contrainte d'extrémité d'ailette. Dans un exemple, une structure semi-conductrice comprend une ailette semi-conductrice faisant saillie à travers une région d'isolation de tranchée au-dessus d'un substrat. L'ailette semi-conductrice présente une surface supérieure, une première extrémité, une seconde extrémité et une paire de parois latérales entre la première extrémité et la seconde extrémité. Une électrode de grille est placée sur une région de la surface supérieure et est latéralement adjacente à une région de la paire de parois latérales de l'ailette semi-conductrice. L'électrode de grille se trouve entre la première extrémité et la seconde extrémité de l'ailette semi-conductrice. Une première prise diélectrique se trouve au niveau de la première extrémité de l'ailette semi-conductrice. Une seconde prise diélectrique se trouve au niveau de la seconde extrémité de l'ailette semi-conductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)