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1. (WO2018101713) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM POLYMÈRE
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N° de publication : WO/2018/101713 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/013731
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 29.11.2017
CIB :
C08J 5/22 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,G03F 1/00 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,C08F 220/22 (2006.01) ,C08F 297/02 (2006.01) ,C08F 220/44 (2006.01) ,C08F 220/38 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
J
MISE EN ŒUVRE; PROCÉDÉS GÉNÉRAUX POUR FORMER DES MÉLANGES; POST-TRAITEMENT NON COUVERT PAR LES SOUS-CLASSES C08B, C08C, C08F, C08G ou C08H149
5
Fabrication d'objets ou de matériaux façonnés contenant des substances macromoléculaires
20
Fabrication de structures façonnées de résines échangeuses d'ions
22
Bandes, membranes ou diaphragmes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
12
des alcools ou des phénols monohydriques
16
des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18
avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
22
Esters contenant un halogène
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
297
Composés macromoléculaires obtenus en polymérisant successivement des systèmes différents de monomère utilisant un catalyseur de type ionique ou du type de coordination sans désactivation du polymère intermédiaire
02
utilisant un catalyseur du type anionique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
42
Nitriles
44
Acrylonitrile
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220
Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02
Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10
Esters
38
Esters contenant du soufre
Déposants : LG CHEM, LTD.[KR/KR]; 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336, KR
Inventeurs : RYU, Hyung Ju; KR
KU, Se Jin; KR
LEE, Mi Sook; KR
YOON, Sung Soo; KR
PARK, No Jin; KR
KIM, Jung Keun; KR
LEE, Je Gwon; KR
CHOI, Eun Young; KR
Mandataire : DANA PATENT LAW FIRM; 5th Floor, New Wing, Gwangsung Bldg., 11, Yeoksam-ro 3-gil, Gangnam-gu, Seoul 06242, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-016212930.11.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POLYMER FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM POLYMÈRE
(KO) 고분자막의 제조 방법
Abrégé :
(EN) The present application relates to a method for manufacturing a polymer film. The present application relates to a manufacturing method for effectively forming a polymer film comprising, on a substrate, highly-aligned block copolymers having no orientation defects, coordination number defects, distance defects, and the like, and can provide a method for manufacturing a polymer film, which can be effectively applied to the production of various patterned substrates, and a method for manufacturing a patterned substrate by using the same.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film polymère. La présente invention concerne un procédé de fabrication permettant de former efficacement un film polymère comprenant, sur un substrat, des copolymères séquencés hautement alignés ne présentant pas de défauts d'orientation, de défauts de nombre de coordination, de défauts de distance et analogues, et de fournir un procédé de fabrication d'un film polymère, pouvant être efficacement appliqué à la production de divers substrats à motifs, et un procédé de fabrication d'un substrat à motifs à l'aide de celui-ci.
(KO) 본 출원은 고분자막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 기판상에 배향 결함, 배위수 결함, 거리 결함 등이 없는 고도로 정렬된 블록 공중합체를 포함하는 고분자막을 효과적으로 형성할 수 있는 제조 방법으로서, 다양한 패턴화 기판의 제조에 효과적으로 적용될 수 있는 고분자막의 제조 방법 및 그를 사용한 패턴화 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)