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1. (WO2018101536) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE
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N° de publication : WO/2018/101536 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/000417
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 12.01.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 51/52 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
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Détails des dispositifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
Déposants :
울산과학기술원 UNIST (ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY) [KR/KR]; 울산시 울주군 언양읍 유니스트길 50 50, UNIST-gil Eonyang-eup Ulju-gun Ulsan 44919, KR
Inventeurs :
박종남 PARK, Jong Nam; KR
서요한 SUH, Yo Han; KR
김태윤 KIM, Tae Yun; KR
Mandataire :
유미특허법인 YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 115 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-015994029.11.2016KR
Titre (EN) QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE
(KO) 양자점 발광 다이오드, 및 상기 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
Abrégé :
(EN) Provided on the basis of a quantum dot having the surface thereof passivated by short-chain ligands are a quantum-dot light-emitting diode and a method for producing same. The quantum-dot light-emitting diode according to one embodiment of the present invention comprises a quantum-dot layer comprising a surface-passivated quantum dot, wherein the surface-passivated quantum dot comprises: a quantum dot comprising a compound having a perovskite structure; and a surface-treated layer positioned on the surface of the quantum dot and comprising organic ligands.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente à point quantique et son procédé de production, la diode électroluminescente à point quantique étant basée sur un point quantique ayant une surface passivée par un ligand à chaîne courte.
(KO) 짧은 사슬의 리간드로 표면이 부동태화된 양자점을 기반으로, 양자점 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 다이오드는 표면이 부동태화된 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하고, 표면이 부동태화된 양자점은, 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 양자점, 및 양자점의 표면에 위치하고, 유기 리간드들을 포함하는 표면처리층을 포함한다.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)