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1. (WO2018101536) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/101536 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/000417
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 12.01.2017
CIB :
H01L 51/50 (2006.01) ,H01L 51/52 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : UNIST (ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY)[KR/KR]; 50, UNIST-gil Eonyang-eup Ulju-gun Ulsan 44919, KR
Inventeurs : PARK, Jong Nam; KR
SUH, Yo Han; KR
KIM, Tae Yun; KR
Mandataire : YOU ME PATENT AND LAW FIRM; 115 Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06134, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-015994029.11.2016KR
Titre (EN) QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING QUANTUM-DOT LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LADITE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE
(KO) 양자점 발광 다이오드, 및 상기 양자점 발광 다이오드의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN) Provided on the basis of a quantum dot having the surface thereof passivated by short-chain ligands are a quantum-dot light-emitting diode and a method for producing same. The quantum-dot light-emitting diode according to one embodiment of the present invention comprises a quantum-dot layer comprising a surface-passivated quantum dot, wherein the surface-passivated quantum dot comprises: a quantum dot comprising a compound having a perovskite structure; and a surface-treated layer positioned on the surface of the quantum dot and comprising organic ligands.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente à point quantique et son procédé de production, la diode électroluminescente à point quantique étant basée sur un point quantique ayant une surface passivée par un ligand à chaîne courte.
(KO) 짧은 사슬의 리간드로 표면이 부동태화된 양자점을 기반으로, 양자점 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 다이오드는 표면이 부동태화된 양자점을 포함하는 양자점층을 포함하고, 표면이 부동태화된 양자점은, 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 양자점, 및 양자점의 표면에 위치하고, 유기 리간드들을 포함하는 표면처리층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)