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1. (WO2018101354) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/101354 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/042885
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 29.11.2017
CIB :
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42
spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28
comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
30
avec des composants spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
Déposants : SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs : HASEGAWA, Yuta; JP
BANDO, Masashi; JP
HIRATA, Shintarou; JP
MOGI, Hideaki; JP
YAGI, Iwao; JP
UJIIE Yasuharu; JP
NEGISHI, Yuki; JP
Mandataire : TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2016-23296130.11.2016JP
2017-21937414.11.2017JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) There is provided an imaging device and an electronic apparatus including an imaging device, where the imaging device includes: a first electrode; a second electrode; a photoelectric conversion layer disposed between the first electrode and the second electrode and including a first organic semiconductor material, a second organic semiconductor material, and a third organic semiconductor material, where the second organic semiconductor material comprises a subphthalocyanine material, and where the second organic semiconductor material has a highest occupied molecular orbital level ranging from -6 eV to -6.7 eV.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie et un appareil électronique comprenant un dispositif d'imagerie, le dispositif d'imagerie comprenant : une première électrode; une seconde électrode; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode et comprenant un premier matériau semiconducteur organique, un second matériau semiconducteur organique, et un troisième matériau semiconducteur organique, le second matériau semiconducteur organique comprenant un matériau de sous-phtalocyanine, et le second matériau semiconducteur organique ayant un niveau orbitale moléculaire occupé le plus haut allant de -6 eV à -6,7 eV.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)