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1. (WO2018101089) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE MESURE DE TENSION CC RÉSIDUELLE DANS UN DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES
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N° de publication : WO/2018/101089 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/041529
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 17.11.2017
CIB :
G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
3
Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
26
faisant varier la phase relative ou l'amplitude relative et l'énergie d'excitation entre deux ou plusieurs éléments rayonnants actifs; faisant varier la distribution de l'énergie à travers une ouverture rayonnante
30
faisant varier la phase
34
par des moyens électriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
3
Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
44
faisant varier les caractéristiques électriques ou magnétiques des dispositifs de réflexion, de réfraction ou de diffraction associés à l'élément rayonnant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
13
Cornets ou embouchures de guide d'onde; Antennes à fentes; Antennes guide d'onde à ondes de fuite; Structures équivalentes produisant un rayonnement le long du trajet de l'onde guidée
20
Antennes constituées par un guide non résonnant à ondes de fuite ou une ligne de transmission; Structures équivalentes produisant un rayonnement le long du trajet de l'onde guidée
22
Fente longitudinale dans la paroi limite du guide d'onde ou d'une ligne de transmission
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
21
Systèmes ou réseaux d'antennes
06
Réseaux d'unités d'antennes, de même polarisation, excitées individuellement et espacées entre elles
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
水崎 真伸 MIZUSAKI Masanobu; --
Mandataire :
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-23099429.11.2016JP
Titre (EN) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE MESURE DE TENSION CC RÉSIDUELLE DANS UN DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶装置、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法、液晶装置の駆動方法、および液晶装置の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device, the liquid crystal device comprising an active region (R1) including a plurality of liquid crystal capacitors and a plurality of thin film transistors (TFT) and an inactive region (R2) located in a region excluding the active region and having at least one monitor capacitor (MVr1), with the plurality of liquid crystal capacitors and the at least one monitor capacitor including a liquid crystal layer. The method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device comprises: a step of creating a V-I curve by measuring a current flowing in one electrode in a pair of electrodes included in the at least one monitor capacitor while applying a positive-negative symmetrical triangular wave voltage to the other electrode; a step of measuring a voltage Vmax having a maximum absolute value where a current reaches a positive local maximum value or local minimum value in the V-I curve, and a voltage Vmin having a maximum absolute value where a current reaches a negative local minimum value or local maximum value; and a step of measuring one-half of the sum of the Vmax and Vmin as the residual DC voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides, le dispositif à cristaux liquides comprenant une région active (R1) comprenant une pluralité de condensateurs à cristaux liquides et une pluralité de transistors à couche mince (TFT) et une région inactive (R2) située dans une région excluant la région active et comportant au moins un condensateur de surveillance (MVr1), la pluralité de condensateurs à cristaux liquides et l’au moins un condensateur de surveillance comprenant une couche de cristaux liquides. Le procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides comprend : une étape de génération d’une courbe V-I par mesure d’un courant circulant dans une électrode dans une paire d’électrodes comprises dans ledit au moins un condensateur de surveillance tout en appliquant une tension d’onde triangulaire symétrique positive-négative à l’autre électrode ; une étape de mesure d’une tension Vmax ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur maximale locale positive ou une valeur minimale locale dans la courbe V-I, et une tension Vmin ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur minimale locale négative ou une valeur maximale locale ; et une étape de mesure de la moitié de la somme de Vmax et Vmin en tant que tension CC résiduelle.
(JA) 液晶装置の残留DC電圧値を求める方法は、複数の液晶容量および複数のTFTとを有するアクティブ領域(R1)と、アクティブ領域以外の領域に位置し、少なくとも1つのモニター用容量(MVr1)を有する非アクティブ領域(R2)とを備え、複数の液晶容量および少なくとも1つのモニター用容量は、液晶層を含む、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法であって、少なくとも1つのモニター用容量が有する一対の電極の内の一方の電極に正負対称な三角波電圧を印加しながら、他方の電極に流れる電流を測定することによって、V-I曲線を生成する工程と、V-I曲線において、電流値が正の極大値または極小値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vmaxと、電流値が負の極小値または極大値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vminとを求める工程と、VmaxとVminとの和の2分の1を残留DC電圧値として求める工程とを包含する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)