WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018101028) ÉLÉMENT D'INVERSION DE MAGNÉTISATION DE COURANT DE SPIN, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/101028 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040910
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 14.11.2017
CIB :
H01L 29/82 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33
Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39
utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : TDK CORPORATION[JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
Inventeurs : SHIOKAWA Yohei; JP
SASAKI Tomoyuki; JP
OIKAWA Tohru; JP
Mandataire : TANAI Sumio; JP
ARA Norihiko; JP
IIDA Masato; JP
OGINO Akihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-23532702.12.2016JP
Titre (EN) SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETO RESISTIVE SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT D'INVERSION DE MAGNÉTISATION DE COURANT DE SPIN, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) スピン流磁化反転素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
Abrégé :
(EN) This spin current magnetization reversal element comprises a first ferromagnetic metal layer having a variable direction of magnetization; and a spin-orbit torque wire that bonds to the first ferromagnetic metal layer and extends in a direction intersecting a facing direction of the first ferromagnetic metal layer. The spin-orbit torque wire is made of a non-magnetic body composed of two or more types of elements, and a composition ratio of the non-magnetic body has a non-uniform distribution between a first surface of the wire bonded to the first ferromagnetic metal layer and a second surface thereof positioned on a side opposite thereto.
(FR) L'invention concerne un élément d'inversion de magnétisation de courant de spin comprenant une première couche de métal ferromagnétique ayant une direction de magnétisation variable; et un fil de couple de spin-orbite qui se lie à la première couche de métal ferromagnétique et s'étend dans une direction croisant une direction de face de la première couche de métal ferromagnétique. Le fil de couple spin-orbite est constitué d'un corps non magnétique composé d'au moins deux types d'éléments, et un rapport de composition du corps non magnétique a une distribution non uniforme entre une première surface du fil lié à la première couche métallique ferromagnétique et une seconde surface de celui-ci positionnée sur un côté opposé à celle-ci.
(JA) 本発明のスピン流磁化反転素子は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層に接合し、前記第1強磁性金属層の面直方向に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線と、を備え、前記スピン軌道トルク配線が、2種類以上の元素からなる非磁性体で構成され、前記第1強磁性金属層と接合する第1面とその反対側に位置する第2面との間で、前記非磁性体の組成比が不均一な分布を有している。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)