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1. (WO2018100958) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/100958    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/039518
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 01.11.2017
CIB :
G03F 1/54 (2012.01), G03F 1/32 (2012.01), G03F 1/72 (2012.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347 (JP).
HOYA ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; 10 Tampines Industrial Crescent 528603 (SG)
Inventeurs : HASHIMOTO, Masahiro; (JP).
UCHIDA, Mariko; (SG).
KAWASUMI, Isao; (SG)
Mandataire : NAGATA, Yutaka; (JP).
OSHIMA, Takafumi; (JP).
OTA, Tsukasa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-232588 30.11.2016 JP
Titre (EN) MASK BLANK, MASK FOR TRANSFER, METHOD FOR MANUFACTURING MASK FOR TRANSFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a mask blank of which the correction rate of EB defect correction is sufficiently fast even when a thin film for forming a transfer pattern is formed with an SiN material, and the ratio of correction rate for EB defect correction between a translucent substrate and itself is sufficiently high. A mask blank provided with a thin film for forming, on a translucent substrate, a transfer pattern formed with a material containing silicon and nitrogen, characterized in that when X-ray photoelectron spectrometry is performed on a plurality of measurement spots in an internal area of the thin film except a near-field area and a surface area to acquire an average value PSi_fi_av of the maximum peak PSi_fi of photoelectron intensity of an Si2p narrow spectrum, and X-ray photoelectron spectrometry is performed on a plurality of measurement spots of the translucent substrate to acquire an average value PSi_sb_av of the maximum peak PSi_sb of photoelectron intensity of an Si2p narrow spectrum, (PSi_fi_av)/(PSi_sb_av) is 1.08 or greater.
(FR)Cette invention concerne une ébauche de masque dont la vitesse de correction des défauts de faisceau d'électrons est suffisamment rapide même lorsqu'un film mince pour la formation d'un motif de transfert est formé avec un matériau à base de SiN, et le rapport de la vitesse de correction pour la correction des défauts de faisceau d'électrons entre un substrat translucide et ledit masque est suffisamment élevé. Plus précisément, l'invention concerne une ébauche de masque pourvue d'un film mince pour former, sur un substrat translucide, un motif de transfert formé avec un matériau contenant du silicium et de l'azote, caractérisé en ce que lorsqu'une spectrométrie photoélectronique à rayons X est réalisée sur une pluralité de points de mesure dans une zone interne du film mince à l'exception d'une zone de champ proche et d'une zone de surface pour acquérir une valeur moyenne PSi_fi_av du pic maximal PSi_fi d'intensité de photoélectrons d'un spectre étroit Si2p, et une spectrométrie photoélectronique à rayons X est effectuée sur une pluralité de points de mesure du substrat translucide pour acquérir une valeur moyenne PSi_sb_av du pic maximal PSi_sb d'intensité de photoélectrons d'un spectre étroit Si2p, le rapport (PSi_fi_av)/(PSi_sb_av) est supérieur ou égal à 1,08.
(JA)転写パターンを形成するための薄膜をSiN系材料で形成した場合でも、EB欠陥修正の修正レートが十分に速く、EB欠陥修正に対する透光性基板との間での修正レート比が十分に高いマスクブランクを提供する。 透光性基板上に、ケイ素および窒素を含有する材料で形成された転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクであって、薄膜の近傍領域と表層領域を除いた領域である内部領域の複数の測定箇所に対してX線光電子分光分析を行ってSi2pナロースペクトルの光電子強度の最大ピークPSi_fiの平均値PSi_fi_avを取得し、透光性基板の複数の測定箇所に対してX線光電子分光分析を行ってSi2pナロースペクトルの光電子強度の最大ピークPSi_sbの平均値PSi_sb_avを取得したとき、(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)が1.08以上であることを特徴とするマスクブランクである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)