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1. (WO2018100954) DISPOSITIF D'ÉCRITURE DE DONNÉES D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/100954    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/039354
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 31.10.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.03.2018    
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventeurs : HANYU Takahiro; (JP).
SUZUKI Daisuke; (JP).
OHNO Hideo; (JP).
ENDOH Tetsuo; (JP)
Mandataire : EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-231457 29.11.2016 JP
Titre (EN) DATA WRITING DEVICE OF RESISTANCE VARIABLE MEMORY ELEMENT
(FR) DISPOSITIF D'ÉCRITURE DE DONNÉES D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a data writing device of a resistance variable memory element with which it is possible to perform writing with a low amount of writing energy using a simple circuit. The data writing device of a resistance variable memory element has a complementary resistance variable memory element, a writing means for producing a resistance change in the complementary resistance variable memory element, a detection means for detecting the writing state of the complementary resistance variable memory element, and a control means for controlling, on the basis of the detection signal from the detection means, the writing performed by the writing means.
(FR)L'invention concerne un dispositif d'écriture de données d'un élément de mémoire à résistance variable avec lequel il est possible d'effectuer une écriture avec une faible quantité d'énergie d'écriture à l'aide d'un circuit simple. Le dispositif d'écriture de données d'un élément de mémoire à résistance variable comporte un élément de mémoire à résistance variable complémentaire, un moyen d'écriture pour produire un changement de résistance dans l'élément de mémoire à résistance variable complémentaire, un moyen de détection pour détecter l'état d'écriture de l'élément de mémoire variable à résistance complémentaire, et un moyen de commande pour commander, sur la base du signal de détection provenant du moyen de détection, l'écriture effectuée par le moyen d'écriture.
(JA)簡単な回路で、小さい書き込みエネルギーで書込みを行うことができる抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置を提供する。抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置は、相補型抵抗変化型記憶素子と、相補型抵抗変化型記憶素子に抵抗変化を生じさせる書き込み手段と、相補型抵抗変化型記憶素子の書き込み状態を検出する検出手段と、検出手段の検出信号に基づいて、書き込み手段の書き込みを制御する制御手段を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)