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1. (WO2018100954) DISPOSITIF D'ÉCRITURE DE DONNÉES D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE

Pub. No.:    WO/2018/100954    International Application No.:    PCT/JP2017/039354
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 11/16
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: HANYU Takahiro
羽生 貴弘
SUZUKI Daisuke
鈴木 大輔
OHNO Hideo
大野 英男
ENDOH Tetsuo
遠藤 哲郎
Title: DISPOSITIF D'ÉCRITURE DE DONNÉES D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À RÉSISTANCE VARIABLE
Abstract:
L'invention concerne un dispositif d'écriture de données d'un élément de mémoire à résistance variable avec lequel il est possible d'effectuer une écriture avec une faible quantité d'énergie d'écriture à l'aide d'un circuit simple. Le dispositif d'écriture de données d'un élément de mémoire à résistance variable comporte un élément de mémoire à résistance variable complémentaire, un moyen d'écriture pour produire un changement de résistance dans l'élément de mémoire à résistance variable complémentaire, un moyen de détection pour détecter l'état d'écriture de l'élément de mémoire variable à résistance complémentaire, et un moyen de commande pour commander, sur la base du signal de détection provenant du moyen de détection, l'écriture effectuée par le moyen d'écriture.