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1. (WO2018100850) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE CHAUFFAGE DE PLAFOND ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/100850    International Application No.:    PCT/JP2017/034052
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
C23C 16/46
H01L 21/318
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: KOSUGI, Tetsuya
小杉 哲也
MURATA, Hitoshi
村田 等
SAIDO, Syuhei
西堂 周平
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE CHAUFFAGE DE PLAFOND ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention comprend : un tube de réaction qui reçoit une pluralité de substrats à l'intérieur de celui-ci de façon à être aligné dans la direction longitudinale; un premier dispositif de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube de réaction à partir du côté du tube de réaction; et un second dispositif de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube de réaction depuis le dessus du tube de réaction. Le second dispositif de chauffage est configuré de telle sorte que la quantité de chaleur générée par le second dispositif de chauffage, dans une région correspondant à une section à basse température du substrat reçu dans la section supérieure à l'intérieur du tube de réaction lorsque celui-ci est chauffé par le premier dispositif de chauffage, devient supérieure à la quantité de chaleur générée dans une région correspondant à une section à haute température du substrat.