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1. (WO2018100496) TRANSFORMATION TOPOLOGIQUE INDUITE PAR CONTRAINTE DE FILMS MINCES À SENSIBILITÉ THERMOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2018/100496 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/057467
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 28.11.2017
CIB :
H01L 35/34 (2006.01) ,H01L 35/32 (2006.01)
Déposants : KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal, 23955-6900, SA
Inventeurs : SINGH, Devendra; SA
HUSSAIN, Muhammad Mustafa; SA
Données relatives à la priorité :
62/429,18502.12.2016US
Titre (EN) STRAIN-INDUCED TOPOLOGICAL TRANSFORMATION OF THERMOELECTRIC RESPONSIVE THIN FILMS
(FR) TRANSFORMATION TOPOLOGIQUE INDUITE PAR CONTRAINTE DE FILMS MINCES À SENSIBILITÉ THERMOÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN) A three-dimensional structure may be obtained from a two-dimensional thin film by applying a stressor layer to the two-dimensional thin film and releasing the thin film from a support substrate. Such a three-dimensional structure may include a thermoelectric responsive material for forming a thermoelectric generator (TEG). A manufacturing process for the transformation from 2-D to 3-D may use a polymer stressor layer deposited on the thermoelectric responsive thin film. The combination thermoelectric responsive layer and stressor layer can be released from a carrier, after which the stressor layer causes the thermoelectric responsive layer to curl. The curl can cause the thermoelectric responsive layer to roll up during the release from the carrier to form a tubular structure.
(FR) Selon la présente invention, une structure tridimensionnelle peut être obtenue à partir d'un film mince bidimensionnel par application d'une couche de contrainte sur le film mince bidimensionnel et libération du film mince d'un substrat de support. Cette structure tridimensionnelle peut comprendre un matériau à sensibilité thermoélectrique permettant de former un générateur thermoélectrique (TEG). Un procédé de fabrication pour la transformation 2D à 3D peut utiliser une couche de contrainte polymère déposée sur le film mince à sensibilité thermoélectrique. La combinaison de la couche à sensibilité thermoélectrique et de la couche de contrainte peut être libérée d'un support, après quoi la couche de contrainte amène la couche à sensibilité thermoélectrique à s'enrouler. L'enroulement peut amener la couche à sensibilité thermoélectrique à s'enrouler pendant la libération du support de manière à former une structure tubulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)