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1. (WO2018100390) GÉNÉRATEUR DE TENSION DE RÉFÉRENCE
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N° de publication : WO/2018/100390 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/053628
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 01.12.2017
CIB :
G05F 3/30 (2006.01)
Déposants : NORDIC SEMICONDUCTOR ASA[NO/NO]; Otto Nielsens veg 12 7052 Trondheim, NO
SAMUELS, Adrian James[GB/GB]; GB (MG)
Inventeurs : HALLIKAINEN, Samuli; NO
Mandataire : DEHNS; St Bride's House 10 Salisbury Square London Greater London EC4Y 8JD, GB
Données relatives à la priorité :
1620541.102.12.2016GB
Titre (EN) REFERENCE VOLTAGE GENERATOR
(FR) GÉNÉRATEUR DE TENSION DE RÉFÉRENCE
Abrégé : front page image
(EN) A reference voltage circuit 2 comprises: a bandgap circuit portion comprising first and second reference transistors (Q1, Q2) and a current source arranged to drive the first and second reference transistor at different current densities, wherein the first and second reference transistors are connected to first and second nodes (N1, N2) respectively; an operational transconductance amplifier (M4, M5, M10, M11, M12) arranged to produce an output current that is proportional to a difference between a voltage at the first node and a voltage at the second node; an output current mirror circuit portion (M3) arranged to generate a mirror current that is a scaled version of the output current and drive said mirror current through a load (R3) so as to produce a reference voltage (Vref); and a reference monitoring circuit portion (6) arranged to monitor the operational transconductance amplifier and generate a flag (Vready) if a current flowing through the operational transconductance amplifier exceeds a threshold.
(FR) La présente invention concerne un circuit de tension de référence (2) qui comprend : une partie de circuit de bande interdite comprenant des premier et second transistors de référence (Q1, Q2) et une source de courant conçue pour exciter les premier et second transistors de référence à des densités de courant différentes, les premier et second transistors de référence étant connectés à des premier et second nœuds (N1, N2) respectivement ; un amplificateur de transconductance opérationnel (M4, M5, M10, M11, M12) conçu pour produire un courant de sortie qui est proportionnel à une différence entre une tension au niveau du premier nœud et une tension au niveau du second nœud ; une partie de circuit miroir de courant de sortie (M3) conçue pour générer un courant miroir qui est une version mise à l'échelle du courant de sortie et pour exciter ledit courant miroir par le biais d'une charge (R3) afin de produire une tension de référence (Vref) ; une partie de circuit de surveillance de référence (6) conçue pour surveiller l'amplificateur de transconductance opérationnel et pour générer un signal visuel (Vready) si un courant circulant à travers l'amplificateur de transconductance opérationnel dépasse un certain seuil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)