WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018100380) DISPOSITIF DE COMMUTATION FORMÉ D'UN MATÉRIAU À ÉLECTRONS CORRÉLÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/100380    N° de la demande internationale :    PCT/GB2017/053614
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 30.11.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : ARM LTD [GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ (GB)
Inventeurs : ARAUJO, Carlos Alberto Paz de; (GB).
CELINSKA, Jolanta Bozena; (GB).
REID, Kimberly Gay; (GB).
SHIFREN, Lucian; (GB)
Mandataire : TLIP LTD; Leeds Innovation Centre 103 Clarendon Road Leeds Yorkshire LS2 9DF (GB)
Données relatives à la priorité :
15/367,052 01.12.2016 US
Titre (EN) SWITCHING DEVICE FORMED FROM CORRELATED ELECTRON MATERIAL
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION FORMÉ D'UN MATÉRIAU À ÉLECTRONS CORRÉLÉS
Abrégé : front page image
(EN)The present techniques generally relate to fabrication of a correlated electron material (CEM) switch. In embodiments, processes are described in which conductive traces (222) may be formed on or over an insulating material (210). Responsive to forming voids (230) in the insulating material, localized portions of the conductive traces in contact with the voids may be exposed to gaseous oxidizing agents (221), which may convert the localized portions (240) of the conductive traces to a CEM. In embodiments, an electrode material (250) may be deposited within the voids to contact the localized portion (240) of conductive trace converted to the CEM.
(FR)Les présentes techniques concernent globalement la fabrication d'un commutateur en matériau à électrons corrélés (CEM). Selon certains modes de réalisation, l'invention concerne des traitements selon lesquels il est possible de former des traces conductrices (222) sur ou par-dessus un matériau isolant (210). En réponse à la formation de vides (230) dans le matériau isolant, des parties localisées des traces conductrices en contact avec les vides peuvent être exposées à des agents gazeux oxydants (221), qui peuvent convertir les parties localisées (240) des traces conductrices en CEM. Selon certains autres modes de réalisation, un matériau d'électrode (250) peut être déposé à l'intérieur des vides de façon à contacter la partie localisée (240) de trace conductrice convertie en CEM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)