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1. (WO2018100341) DISPOSITIF DE COMMUTATION CEM
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N° de publication : WO/2018/100341 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/053521
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 23.11.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ARM LTD [GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ, GB
Inventeurs :
ARAUJO, Carlos Alberto Paz de; GB
CELINSKA, Jolanta Bozena; GB
REID, Kimberly Gay; GB
SHIFREN, Lucian; GB
Mandataire :
TLIP LTD; 14 King Street Leeds LS1 2HL, GB
Données relatives à la priorité :
15/363,21629.11.2016US
Titre (EN) A CEM SWITCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION CEM
Abrégé :
(EN) The present techniques generally relate to an improved CEM switching device (350) and methods for its manufacture. In this device, a conductive substrate (370) and/or conductive overlay (380) each comprises a primary layer (370a, 380a) of a conductive material and a secondary layer (370b, 380b) of a conductive material. The primary layer (370a, 380a) contacting the CEM layer (360) is substantially inert to the CEM layer and/or acts an oxygen barrier for the secondary layer at temperatures used for the manufacture of the device.
(FR) Les présentes techniques concernent généralement un dispositif de commutation CEM (350) amélioré (CEM) et des procédés pour sa fabrication. Dans ce dispositif, un substrat conducteur (370) et/ou un revêtement conducteur (380) comprend chacun une couche primaire (370a, 380a) d'un matériau conducteur et une couche secondaire (370b, 380b) d'un matériau conducteur. La couche primaire (370a, 380a) en contact avec la couche CEM (360) est sensiblement inerte vis-à-vis de la couche CEM et/ou fait office de barrière à l'oxygène pour la couche secondaire à des températures utilisées pour la fabrication du dispositif.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)