Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018099774) SÉPARATION DE NANOTUBES DE CARBONE À PAROI UNIQUE SEMI-CONDUCTEURS ET MÉTALLIQUES À L'AIDE D'UN POLYTUNGSTATE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/099774 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/079989
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 22.11.2017
CIB :
C01B 32/172 (2017.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
[IPC code unknown for C01B 32/172]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05
spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
BASF SE [DE/DE]; Carl-Bosch-Strasse 38 67056 Ludwigshafen am Rhein, DE
Inventeurs :
TOMOVIC, Zeljko; DE
REIS, Wieland; DE
MIKHAEL, Jules; DE
Mandataire :
BASF IP ASSOCIATION; BASF SE G-FLP - C006 67056 Ludwigshafen, DE
Données relatives à la priorité :
16201422.930.11.2016EP
Titre (EN) SEPARATION OF SEMI-CONDUCTING AND METALLIC SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES USING A POLYTUNGSTATE
(FR) SÉPARATION DE NANOTUBES DE CARBONE À PAROI UNIQUE SEMI-CONDUCTEURS ET MÉTALLIQUES À L'AIDE D'UN POLYTUNGSTATE
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for separating semi-conducting and metallic single-walled carbon nanotubes from each other and, if present, from other carbonaceous material, or for separating semi-conducting single-walled carbon nanotubes from other carbonaceous material, via centrifugation performed by a temperature of > 25°C using a solution of a polytungstate as separation medium; to semi-conducting single-walled carbon nanotubes obtainable by this method; and to the use of these semi-conducting single-walled carbon nanotubes e.g. in electronic devices, optical devices, optoelectronic devices, energy storage devices and the like.
(FR) La présente invention concerne un procédé de séparation de nanotubes de carbone à paroi unique semi-conducteurs et métalliques les uns des autres et, le cas échéant, d'autres matériaux carbonés, ou de séparation de nanotubes de carbone à paroi unique semi-conducteurs d'un autre matériau carboné, par centrifugation effectuée par une température > 25 °C à l'aide d'une solution d'un polytungstate en tant que milieu de séparation. La présente invention concerne également des nanotubes de carbone à paroi simple semi-conducteurs pouvant être obtenus par ce procédé ; et l'utilisation de ces nanotubes de carbone à paroi simple semi-conducteurs, par exemple dans des dispositifs électroniques, des dispositifs optiques, des dispositifs optoélectroniques, des dispositifs de stockage d'énergie et équivalents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)