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1. (WO2018099322) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT À SEMICONDUCTEURS BASÉ SUR UN MONOCRISTAL D'HALOGÉNURE QUATERNAIRE À BASE DE BI, ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Pub. No.:    WO/2018/099322    International Application No.:    PCT/CN2017/112762
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 25 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 31/10
Applicants: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
华中科技大学
Inventors: TANG, Jiang
唐江
PAN, Weicheng
潘伟程
WU, Haodi
巫皓迪
LUO, Jiajun
罗家俊
NIU, Guangda
牛广达
ZHOU, Ying
周英
Title: DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT À SEMICONDUCTEURS BASÉ SUR UN MONOCRISTAL D'HALOGÉNURE QUATERNAIRE À BASE DE BI, ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
La présente invention concerne le domaine technique des détecteurs d'imagerie à rayons X préparés à partir de matériaux semiconducteurs, et concerne un détecteur de rayonnement à semiconducteurs basé sur un monocristal d'halogénure quaternaire à base de Bi, et son procédé de préparation. Le détecteur de rayonnement à semiconducteurs comprend un monocristal d'halogénure quaternaire à base de Bi servant de couche d'absorption de rayons; une couche de contact sélective d'électrons et une couche de contact sélective de trous sont collées à deux surfaces de la couche d'absorption de rayons, respectivement; deux électrodes sont en contact avec les deux couches de contact de charge sélective, respectivement et servent d'électrode positive et d'électrode négative du dispositif. Le détecteur de rayonnement à semiconducteurs de la présente invention présente les avantages d'une sensibilité élevée, d'une convivialité d'environnement, d'une stabilité et analogues.