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1. (WO2018099112) LIQUIDE DE NETTOYAGE CONTENANT DU FLUOR
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N° de publication : WO/2018/099112 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/094364
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
42
Elimination des réserves ou agents à cet effet
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD.[CN/CN]; T6-9, Shanghai Jinqiao Export Processing Zone (South Zone) No. 5001, Huadong Road, Pudong New Area Shanghai 201201, CN
Inventeurs : HE, Chunyang; CN
ZHAO, Peng; CN
LIU, Bing; CN
Mandataire : BEIJING DACHENG LAW OFFICES, LLP; 15th/16th Floor, Shanghai Tower 501 Yincheng Road (M), Pudong New Area Shanghai 200120, CN
Données relatives à la priorité :
201611070472.X29.11.2016CN
Titre (EN) FLUORINE-CONTAINING CLEANING LIQUID
(FR) LIQUIDE DE NETTOYAGE CONTENANT DU FLUOR
(ZH) 一种含氟清洗液
Abrégé :
(EN) A fluorine-containing cleaning liquid comprising a fluoride, an organic amine, an organic solvent, a hydrated hydrazine, and a derivative thereof. The fluorine-containing cleaning liquid has powerful cleaning capability, effectively removes plasma etching residues in a semiconductor fabrication process, particularly residues after ashing in a copper mask process, provides a reduced corrosion rate with respect to nonmetal materials (such as silicon oxynitride and a low dielectric material) and metal materials (such as Cu) in high-rotational speed single-chip microcomputer cleaning, is applicable in a batch immersion and batch rotating spray cleaning approach, is specifically applicable in a high rotational speed single-chip rotating cleaning approach, solves the shortcoming of copper corrosion inhibition of a conventional cleaning liquid, and has great application prospects in the microelectronics field of semiconductor chip cleaning.
(FR) La présente invention concerne un liquide de nettoyage contenant du fluor qui comprend un fluorure, une amine organique, un solvant organique, une hydrazine hydratée, et un dérivé de cette dernière. Le liquide de nettoyage contenant du fluor présente une capacité de nettoyage puissante, élimine efficacement les résidus de gravure au plasma dans un processus de fabrication de semi-conducteur, en particulier des résidus après calcination dans un processus de masque de cuivre, fournit un taux de corrosion réduit par rapport à des matériaux non métalliques (tels que l'oxynitrure de silicium et un matériau à faible constante diélectrique) et des matériaux métalliques (tels que Cu) dans un nettoyage de micro-ordinateur à puce unique à vitesse de rotation élevée, est applicable dans une approche de nettoyage par immersion par lots et par pulvérisation rotative par lots, est spécifiquement applicable dans une approche de nettoyage rotatif à une seule puce à vitesse de rotation élevée, résout l'inconvénient de l'inhibition de la corrosion du cuivre d'un liquide de nettoyage classique, et présente de grandes perspectives d'application dans le domaine de la micro-électronique de nettoyage de puce de semi-conducteur.
(ZH) 含氟清洗液含有氟化物、有机胺、有机溶剂、水和肼及其衍生物,所述含氟清洗液清洗能力强,可有效去除半导体制程过程中等离子刻蚀残留物,尤其是在铜马士革工艺中灰化后的残留物,并且在高转速单片机清洗中对非金属材料(如氮氧化硅和低介质材料)和金属材料(如Cu)等有较小的腐蚀速率,适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式清洗方式,尤其适用于高转速单片旋转式的清洗方式,克服了传统清洗液铜腐蚀抑制的缺陷,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)