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1. (WO2018099111) SOLUTION DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE DE NITRURE DE SILICIUM
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N° de publication :    WO/2018/099111    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/094363
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 25.07.2017
CIB :
C09G 1/02 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; T6-9, No. 5001, Huadong Road, Shanghai Jinqiao, Export Processing Zone (South Zone), Pudong, New Area Shanghai 201201 (CN)
Inventeurs : ZHOU, Wenting; (CN)
Mandataire : BEIJING DACHENG LAW OFFICES, LLP; 15th/16th Floor, Shanghai Tower, 501 Yincheng Road (M), Pudong New Area Shanghai 200120 (CN)
Données relatives à la priorité :
201611070743.1 29.11.2016 CN
Titre (EN) SILICON NITRIDE CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING SOLUTION
(FR) SOLUTION DE POLISSAGE MÉCANO-CHIMIQUE DE NITRURE DE SILICIUM
(ZH) 一种氮化硅化学机械抛光液
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a chemical-mechanical polishing solution having high silicon nitride selectivity, comprising water and abrasive particles and further comprising a heterocyclic compound containing one or more carboxyl groups, a polyamic acid and alkanolamine compound, a pH regulator, and a fungicide. The polishing solution of the present invention can increase a silicon nitride and silicon oxide polishing rate selectivity ratio and a silicon nitride and polysilicon polishing rate selectivity ratio, and can have a significantly increased silicon nitride polishing rate and a decreased silicon nitride and polysilicon polishing rate, thus having a good market application prospect.
(FR)La présente invention concerne une solution de polissage mécano-chimique ayant une sélectivité élevée vis-à-vis du nitrure de silicium, comprenant de l'eau et des particules abrasives et comprenant en outre un composé hétérocyclique contenant un ou plusieurs groupes carboxyle, un poly(acide amique) et un composé alcanolamine, un régulateur de pH et un fongicide. La solution de polissage selon la présente invention permet d'augmenter un rapport de sélectivité de la vitesse de polissage du nitrure de silicium à celle de l'oxyde de silicium et un rapport de sélectivité de la vitesse de polissage du nitrure de silicium à celle du silicium polycristallin et peut avoir une vitesse de polissage du nitrure de silicium considérablement accrue et des vitesses de polissage du nitrure de silicium et du silicium polycristallin réduites, ce qui lui confère ainsi une bonne perspective d'application commerciale.
(ZH)本发明涉及一种高选择性氮化硅的化学机械抛光液,包括水和研磨颗粒,同时还包括含一个或多个羧基基团的杂环类化合物、聚胺酸与烷醇胺化合物、pH调节剂和杀菌剂。本发明的抛光液可以提高氮化硅与二氧化硅抛光速度选择比,以及氮化硅与多晶硅抛光速度选择比,同时能够具有显著提高的氮化硅抛光速度以及减小的二氧化硅和多晶硅抛光速度,就有良好的市场应用前景。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)