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1. (WO2018098994) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PANNEAU D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
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N° de publication :    WO/2018/098994    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/083051
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 04.05.2017
CIB :
H01L 27/32 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No. 10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015 (CN).
HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Xinzhan Industrial Park Hefei, Anhui 230012 (CN)
Inventeurs : GAO, Jilei; (CN).
SUN, Jing; (CN).
LIU, Jinliang; (CN).
LUO, Hongqiang; (CN).
LIU, Zuwen; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
201611072838.7 29.11.2016 CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, DISPLAY PANEL, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PANNEAU D’AFFICHAGE ET DISPOSITIF D’AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided in the present disclosure are an array substrate, comprising a display panel and a display device of the array substrate, and a manufacturing method for the array substrate. The array substrate comprises a display area, a plurality of first transistors which are disposed in the display area, a non-display area which is disposed at the periphery of the display area, and a plurality of second transistors which are disposed in the non-display area, the thickness of an active layer of a second transistor being smaller than a first transistor.
(FR)La présente invention concerne un substrat de réseau, comprenant un panneau d'affichage et un dispositif d'affichage du substrat de réseau, et un procédé de fabrication du substrat de réseau. Le substrat de réseau comprend une zone d'affichage, une pluralité de premiers transistors qui sont disposés dans la zone d'affichage, une zone de non-affichage qui est disposée à la périphérie de la zone d'affichage, et une pluralité de seconds transistors qui sont disposés dans la zone de non-affichage, l'épaisseur d'une couche active d'un second transistor étant plus petite qu'un premier transistor.
(ZH)本公开提供了一种阵列基板、包括阵列基板的显示面板和显示装置,以及阵列基板的制作方法。所述阵列基板包括显示区、设置在显示区中的多个第一晶体管、设置在显示区外围的非显示区以及设置在非显示区中的多个第二晶体管,其中相比于第一晶体管,第二晶体管的有源层的厚度更小。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)