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1. (WO2018098952) STRUCTURE ÉPITAXIALE À BASE DE GAN, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION CORRESPONDANT

Pub. No.:    WO/2018/098952    International Application No.:    PCT/CN2017/078826
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 31 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/10
H01L 29/66
H01L 29/778
Applicants: SHANGHAI INDUSTRIAL ΜTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
上海新微技术研发中心有限公司
Inventors: CHEN, Long
陈龙
LI, Cheng
李成
YUAN, Li
袁理
Title: STRUCTURE ÉPITAXIALE À BASE DE GAN, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION CORRESPONDANT
Abstract:
L'invention concerne une structure épitaxiale à base de GaN, un dispositif à semi-conducteurs et un procédé de formation correspondant, la structure épitaxiale à base de GaN comprenant : une première couche de GaN (100) dopée à l'aide d'atomes C à une première concentration; une seconde couche de GaN (200) dopée à l'aide d'atomes C à une seconde concentration inférieure à la première concentration; et une couche bloquante d'atome C de dopage (300) disposée entre la première couche de GaN (100) et la seconde couche de GaN (200) et configurée de façon à empêcher la diffusion d'atomes C entre la première couche de GaN (100) et la seconde couche de GaN (200). Le présent procédé permet de fournir une couche de GaN à haute impédance à forte teneur en C ayant une fonction de tampon, tout en fournissant une couche de GaN propre à faible teneur en C de faible épaisseur utilisée de façon à générer des canaux.