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1. (WO2018098877) CIRCUIT D'ATTAQUE OLED ET PANNEAU D'AFFICHAGE OLED
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N° de publication : WO/2018/098877 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/112303
Date de publication : 07.06.2018 Date de dépôt international : 27.12.2016
CIB :
G09G 3/3233 (2016.01)
Déposants : WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD[CN/CN]; Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue,Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs : LI, Jun; CN
Mandataire : SCIHEAD IP LAW FIRM; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building, No. 80, Xianlie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201611097271.902.12.2016CN
Titre (EN) OLED DRIVER CIRCUIT AND OLED DISPLAY PANEL
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE OLED ET PANNEAU D'AFFICHAGE OLED
(ZH) OLED驱动电路及OLED显示面板
Abrégé : front page image
(EN) An OLED driver circuit (100) and an OLED display panel (10). The OLED driver circuit (100) comprises a switching thin film transistor (T3), a driving thin-film transistor (T1), a storage capacitor (Cst), and a compensation circuit (110). The switching thin-film transistor (T3) and the driving thin-film transistor (T1) each comprise a gate electrode, a first terminal, and a second terminal. The first terminal of the switching thin-film transistor (T3) receives a data signal (Data). The gate electrode of the switching thin-film transistor (T3) receives an n-th level scan signal (SCAN[n]). The second terminal of the switching thin-film transistor (T3) is electrically connected to the first terminal of the driving thin-film transistor (T1). The gate electrode of the driving thin-film transistor (T1) is electrically connected to a voltage source (VDD) via the storage capacitor (Cst). The second terminal of the driving thin-film transistor (T1) is electrically connected to a positive electrode of an OLED via some components of the compensation circuit (110). A negative electrode of the OLED is loaded with a low level (VSS). The compensation circuit (110) is used for compensating for a change in a drive current (IOLED) flowing through the OLED brought forth by a drift in a threshold voltage (Vth) of the driving thin-film transistor (T1). The first terminals are source electrodes and the second terminals are drain electrodes; or the first terminals are drain electrodes and the second terminals are source electrodes.
(FR) La présente invention concerne un circuit d'attaque à diodes électroluminescentes organiques (OLED) (100) et un panneau d'affichage OLED (10). Le circuit d'attaque OLED (100) comprend un transistor à couches minces de commutation (T3), un transistor à couche minces d'attaque (T1), un condensateur de stockage (Cst), et un circuit de compensation (110). Le transistor à couches minces de commutation (T3) et le transistor à couches minces d'attaque (T1) comprennent chacun une électrode de grille, un premier terminal et un second terminal. Le premier terminal du transistor à couches minces de commutation (T3) reçoit un signal de données (Données). L'électrode de grille du transistor à couches minces de commutation (T3) reçoit un signal de balayage de nième niveau (BALAYAGE [n]). Le second terminal du transistor à couches minces de commutation (T3) est connecté électriquement au premier terminal du transistor à couches minces d'attaque (T1). L'électrode de grille du transistor à couches minces d'attaque (T1) est connectée électriquement à une source de tension (VDD) par l'intermédiaire du condensateur de stockage (Cst). Le second terminal du transistor à couches minces d'attaque (T1) est connecté électriquement à une électrode positive d'une OLED par l'intermédiaire de certains composants du circuit de compensation (110). Une électrode négative de l'OLED est chargée avec un faible niveau (VSS). Le circuit de compensation (110) est utilisé pour compenser un changement dans un courant d'attaque (IOLED) circulant à travers l'OLED provoquée par une dérive dans une tension de seuil (Vème) du transistor à couches minces d'attaque (T1). Les premiers terminaux constituent des électrodes de source et les seconds terminaux constituent des électrodes de drain ; ou les premiers terminaux constituent des électrodes de drain et les seconds terminaux constituent des électrodes de source.
(ZH) 一种OLED驱动电路(100)及OLED显示面板(10)。OLED驱动电路(100)包括开关薄膜晶体管(T3)、驱动薄膜晶体管(T1)、存储电容(Cst)以及补偿电路(110),开关薄膜晶体管(T3)及驱动薄膜晶体管(T1)均包括栅极、第一端及第二端,开关薄膜晶体管(T3)的第一端接收数据信号(Data),开关薄膜晶体管(T3)的栅极接收第n级扫描信号(SCAN[n]),开关薄膜晶体管(T3)的第二端电连接驱动薄膜晶体管(T1)的第一端,驱动薄膜晶体管(T1)的栅极通过存储电容(Cst)电连接至一电压源(VDD),驱动薄膜晶体管(T1)的第二端通过补偿电路(110)中的部分元件电连接至OLED的正极,OLED的负极加载低电平(VSS),补偿电路(110)用于补偿由于驱动薄膜晶体管(T1)的阈值电压(V th)的漂移而带来的流经OLED的驱动电流(I OLED)的变化;其中,第一端为源极,第二端为漏极;或者第一端为漏极,第二端为源极。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)