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1. (WO2018097911) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE (RRAM)

Pub. No.:    WO/2018/097911    International Application No.:    PCT/US2017/057459
Publication Date: Fri Jun 01 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Oct 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: G11C 13/00
H01L 45/00
Applicants: SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.
Inventors: ZHOU, Feng
LIU, Xian
LEMKE, Steven
HARIHARAN, Santosh
TRAN, Hieu, Van
DO, Nhan
Title: PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELLULES DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE (RRAM)
Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire qui consiste à : former une première couche de matériau conducteur ayant des surfaces supérieure et inférieure opposées, former une couche de silicium amorphe sur la surface supérieure de la première couche de matériau conducteur, dénuder la couche de silicium amorphe, une partie du silicium amorphe restant dans la surface supérieure de la première couche de matériau conducteur, former une couche de matériau d'oxyde de métal de transition sur la surface supérieure de la première couche de matériau conducteur, et former une seconde couche de matériau conducteur sur la couche de matériau d'oxyde de métal de transition. Le procédé lisse la surface supérieure de l'électrode inférieure, et fournit également une surface supérieure d'électrode inférieure avec un matériau stable qui est difficile à oxyder.